[發明專利]用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材及其制備方法

有效

• 申請號: 201410048945.0
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN103849844A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 楊希川
• 申請（專利權）人: 大連七色光太陽能科技開發有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 裴毓英

1.一種用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：高溫條件下，分別將錫化合物與氟化合物氣化后混合，并由載氣將此混合氣體帶至高溫反應器中，在反應器內壁或底部生成FTO結晶或粉末；將此FTO結晶或粉末進行研磨、壓片，得到用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材。

2.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述錫化合物與氟化合物的摩爾比為0.001~20。

3.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述錫化合物為無機錫化合物和/或有機錫化合物。

4.根據權利要求3所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述無機錫化合物為無水結晶二氯化錫、結晶二氯化錫、無水和結晶四氯化錫中的一種或多種。

5.根據權利要求3所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述有機錫化合物為R_nSnX_4-n，其中，n=1-4，R為烷基、酯烷基或芳香基，X為無機酸根、有機酸根、羥基或鹵素。

6.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述含氟化合物為氟化銨、氟化氫銨、氟化氫、三氟乙酸、三氟丙酸、三氟丁酸、三氟甲烷、三氟乙烷、三氟丙烷、三氟乙酸酐、十一氟已酸、十一氟己酸甲酯、五氟丙酸酐、四氟丙醇、五氟丙醇、三氟丁酸甲酯和乙基三氟丙酯中的一種或多種。

7.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述反應器內壁和襯底為玻璃、陶瓷、銅板、鈦板、金板或鉑板材質。

8.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述氣化溫度為100°C~400?°C；所述高溫反應器中的溫度為400?°C~900?°C。

9.根據權利要求1所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法，其特征在于，所述載氣為氮氣和/或空氣。

10.一種用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材，由權利要求1-9任意一項所述用于磁控濺射的摻氟氧化錫靶材的制備方法制備而成。