[發(fā)明專利]一種碳化硅鍍膜的低輻射玻璃及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410048882.9
• 申請(qǐng)日: 2014-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN103786384B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王勇;胡冰;劉雙;王爍;童帥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津南玻節(jié)能玻璃有限公司
• 主分類號(hào): B32B15/04
• 分類號(hào): B32B15/04;B32B9/04;B32B33/00;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/08
• 代理公司: 天津?yàn)I海科緯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 韓敏

1.一種碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，包括玻璃基片和功能膜層，其特征在于：所述功能膜層包括SiC膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：所述功能膜層依次由R膜層、Y膜層、Ag膜層、Y膜層和SiC膜層結(jié)構(gòu)組成，其中R膜層是SiNx、TiOx、ZnAlOx、ZnSnOx和NbOx膜層中的一種或兩種以上的排列組合，Y膜層為NiCr或Ti膜層中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：功能膜層中各膜層的厚度依次為18-30nm、0.5-3nm、2-12nm、1-5nm、5-70nm，優(yōu)選的，各膜層的厚度依次為25nm、2nm、10nm、4nm、50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：所述功能膜層依次由Q膜層、Ag膜層、Y膜層、SiC膜層、Q膜層、Ag膜層、Y膜層和SiC膜層結(jié)構(gòu)組成，其中Q膜層是ZnAlO_x、TiOx、SiNx、ZnSnOx和NbOx層中的一種或兩種以上的排列組合，Y膜層為NiCr或Ti層中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：功能膜層中各膜層的厚度依次為25nm～40nm、3.5～11.5nm、0.5nm～3.5nm、15nm～45nm、11.5nm～21.5nm；5nm～17nm；0.4nm～3.8nm、5-70nm，優(yōu)選的，各膜層的厚度依次為35nm、7.5nm、2nm、30nm、16.5nm、11nm、0.8nm、50nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：所述功能膜層依次由SiC膜層、Q膜層、Ag膜層、Y膜層和SiC膜層結(jié)構(gòu)組成，其中Q膜層是ZnAlO_x、TiOx、SiNx、ZnSnOx和NbOx層中的一種或兩種以上的排列組合，Y膜層為NiCr或Ti層中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃，其特征在于：功能膜層中各膜層的厚度依次為12nm～32nm；11nm～43nm；2.2nm～10.2nm；0.5nm～4.8nm；5-70nm，優(yōu)選的，各膜層的厚度依次為22nm、27nm、6.2nm、1.8nm、42.5nm。

8.一種制備如權(quán)利要求2或3所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步驟，玻璃基片清洗—進(jìn)入真空腔室—逐層進(jìn)行磁控濺射—恢復(fù)大氣—下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過(guò)直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；Ag層和Ti層中氣體流量為，Ar為600-1200sccm，Ar為1000sccm；SiN_x膜層中的氣體流量是：Ar為400-900sccm，N₂為300-1100sccm；其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為500-1500sccm；TiOx、ZnAlOx、ZnSnOx和NbOx膜層中的氣體流量是：Ar為400-900sccm，O₂為500-1000sccm；優(yōu)選的，Ag膜層中氣體流量為，Ar為1000sccm；SiN_x膜層中的氣體流量是：Ar為600sccm，N₂為800sccm；其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為1200sccm。

9.一種制備如權(quán)利要求4或5所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步驟，玻璃基片清洗—進(jìn)入真空腔室—逐層進(jìn)行磁控濺射—恢復(fù)大氣—下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過(guò)直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；Ag層和Ti層中氣體流量為，Ar為500-1500sccm；ZnAlO_x、TiOx、ZnSnOx和NbOx層中的氣體流量為，Ar為300-800sccm，O₂為500-1000sccm，其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為500-1000sccm；優(yōu)選的，Ag層中氣體流量為，Ar為1000sccm；ZnAlO_x層中的氣體流量為，Ar為500sccm，O₂為1000sccm，其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為1200sccm。

10.一種制備如權(quán)利要求6或7所述的碳化硅鍍膜的低輻射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步驟，玻璃基片清洗—進(jìn)入真空腔室—逐層進(jìn)行磁控濺射—恢復(fù)大氣—下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過(guò)直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；ZnSnO_x、ZnAlO_x、TiOx、ZnSnOx和NbOx中的氣體流量是：Ar為300-800sccm，O₂為500-1000sccm；Ag層和Ti層中氣體流量為，Ar為500-1500sccm；SiN_x膜層中的氣體流量是：Ar為400-900sccm，N₂為300-1100sccm；其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為500-1000sccm；優(yōu)選的，ZnSnO_x和ZnAlO_x層中的氣體流量是：Ar為500sccm，O₂為1000sccm；Ag層中氣體流量為，Ar為1000sccm；其余膜層中的氣體流量分別為，Ar為1200sccm。