[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201410048867.4 | 申請日： | 2014-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN103996631A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發明（設計）人： | 松下毅;望月英司;西澤龍男;齋藤俊介 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：準備具有U字形狀的焊錫板的工序；在基板上放置所述焊錫板的工序；在所述焊錫板上放置半導體芯片的工序；在還原性氣體的氣氛中對所述焊錫板進行熔融的工序；以及減壓工序，在該減壓工序中，在所述焊錫板熔融后將所述還原性氣體的氣氛的氣壓降低至低于大氣壓的氣壓。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述焊錫板包含有Sn及Sb。
3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述焊錫板包含有8～15wt％的Sb。
4.如權利要求1至3的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述還原性氣體為氫氣。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
