[發明專利]平面VDMOS柵源漏電的處理方法

有效

• 申請號: 201410048803.4
• 申請日: 2014-02-12
• 公開（公告）號: CN104835741B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

1.一種平面VDMOS柵源漏電的處理方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底表面生成初始氧化層；

根據預設環區版圖對所述初始氧化層進行刻蝕，以在所述半導體襯底表面形成環區、柵極走線和柵極手指；

根據預設的氧氣流量，通過熱氧化處理對所述環區進行離子驅入，并在所述半導體襯底表面上形成氧化層，所述氧化層的厚度為其中，所述氧氣流量為0.15升/分鐘；

根據預設有源區版圖在所述半導體襯底表面上形成有源區，所述有源區的邊界覆蓋至所述柵極手指；

在所述有源區和所述半導體襯底表面生長柵氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據預設有源區版圖在所述半導體襯底表面上形成有源區，包括：

根據預設有源區版圖，在所述氧化層上涂光刻膠；

對涂有光刻膠的氧化層進行曝光顯影；

對曝光顯影后的氧化層進行各向同性腐蝕，以在所述半導體襯底表面形成有源區；

去除曝光顯影后的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述各向同性腐蝕過程中使用的酸性溶液為硫酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸中的一種或多種的組合。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理的方式包括干氧氧化處理和濕氧氧化處理。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理過程中的氧化溫度為800℃～1100℃，環區離子驅入的溫度為1100℃。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱氧化處理過程中的氣壓為1bar。

7.根據權利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底的類型包括N型半導體襯底和P型半導體襯底。