[發明專利]樹脂密封型半導體裝置的制造方法以及引腳架

有效

• 申請號: 201410048546.4
• 申請日: 2014-02-12
• 公開（公告）號: CN103985644B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 洼田晉也;秋野勝
• 申請（專利權）人: 精工半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,黃綸偉

技術領域

本發明涉及樹脂密封型半導體裝置的制造方法以及引腳架，尤其涉及樹脂密封型半導體裝置的樹脂溢料以及附著金屬的去除方法。

背景技術

近年來，為了應對電子設備的小型化，安裝在電子設備內的電子器件需要高密度安裝。電子器件包括將安裝有晶體管等元件的芯片與引腳等布線用部件一起密封在密封樹脂內的樹脂密封型器件，該樹脂密封型器件的小型、薄型化也取得了進展。伴隨于此，樹脂密封型器件中的引腳間距的縮小化取得了進展，最終，出現了無引腳器件等，電子器件的安裝方法向多樣化發展。因此，正在尋求包含電子器件的安裝在內的新制造方法。

以下，說明現有的密封型半導體裝置的構造以及制造方法。

圖7是用于制造現有的樹脂密封型半導體裝置的引腳架的俯視圖。現有的引腳架40由以下的部件構成：四邊形的外框；四邊形的芯片安裝盤21，其設置在外框包圍的區域的大致中央部，載置半導體芯片；懸吊引腳25，其連接外框和芯片安裝盤1；內引腳23，其在載置有半導體芯片的狀態下通過金屬細線等連接單元與半導體芯片電連接；外引腳24，其與內引腳23連續地設置，用于與外部端子連接。多個引腳22通過連桿（tie bar）32相互連結。在芯片安裝盤21以及引腳22的內引腳23上選擇性地覆蓋由銀等構成的金屬鍍層28。另外，虛線包圍的部分為被密封樹脂31密封的區域。此外，關于引腳架40，并非獨立地僅存在1個由圖7所示的結構構成的圖案，而是為了大量生產，在圖中左右、上下地連續排列有多個。

圖8是現有的樹脂密封型半導體裝置的平面透視圖，在圖7所示的引腳架40的芯片安裝盤21上安裝半導體芯片26，利用金屬細線27連接半導體芯片26表面的電極（未圖示）和內引腳23，以使外引腳24露出的方式利用密封樹脂31密封半導體芯片26、金屬細線27等。在該圖中，密封樹脂31是透明的。在將連桿32或樹脂密封時溢出的樹脂去除時利用激光的情況下，引腳架發熱/熔化而飛散的一部分金屬作為附著金屬34附著于外引腳24之間。這樣的附著金屬成為電氣特性不良的原因的可能性較高。為了避免這種情況，提出了這樣的方法等：在激光切割工序中，使帶（tape）部件粘合在切斷部分，將熔化金屬的一部分轉印到帶部件上，使其不會附著到產品部位上。（例如，參照專利文獻1）

專利文獻1：日本特開平11-260982號公報

但是，在上述制造方法中，由于追加了帶部件以及粘貼/剝離工序而可能導致制造成本上升。

發明內容

本發明目的是取代上述制造方法，解決由于對被加工部照射激光而發熱/熔化的一部分金屬容易附著在其它部位的上述課題。

為了達成上述目的，本發明了采用以下這樣的手段。

首先，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，該樹脂密封型半導體裝置由引腳架、半導體芯片和密封樹脂構成，該引腳架具有芯片安裝盤和多個引腳，該樹脂密封型半導體裝置的制造方法的特征在于，包括以下的工序：在上述引腳架以及上述引腳的內引腳和外引腳的表面上形成金屬鍍層的工序；在上述芯片安裝盤上安裝上述半導體芯片的工序；利用金屬細線連接上述半導體芯片和上述內引腳的工序；對上述芯片安裝盤上的上述半導體芯片、上述金屬細線和上述引腳進行樹脂密封而露出上述外引腳的工序；通過激光照射來去除形成在相鄰的上述外引腳之間的樹脂溢料的樹脂溢料去除工序；去除從上述密封樹脂露出的上述金屬鍍層的工序；以及在上述外引腳上形成焊接鍍層的工序。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述樹脂溢料去除工序中，使激光的焦點偏離于上述引腳。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述金屬鍍層去除工序中實施輕蝕刻工序。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述引腳的內引腳和外引腳的表面上形成金屬鍍層的工序中，僅在上述引腳的上表面上覆蓋上述金屬鍍層。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述引腳的內引腳與外引腳的表面上形成金屬鍍層的工序中，在上述引腳的上表面和側面覆蓋上述金屬鍍層。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述引腳的內引腳與外引腳的表面上形成金屬鍍層的工序中，在上述引腳的上表面、側面和底面覆蓋上述金屬鍍層。

另外，采用如下這樣的樹脂密封型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述引腳的內引腳與外引腳的表面上形成金屬鍍層的工序中，上述內引腳的表面的金屬鍍層與上述外引腳的表面的金屬鍍層分離。