[發明專利]一種結構型吸波材料及其制作方法

有效

• 申請號: 201410047908.8
• 申請日: 2014-02-11
• 公開（公告）號: CN103779667A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 董鳳良;徐麗華;宋志偉;褚衛國
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;H05K9/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;侯桂麗

1.一種在硅襯底材料上制作吸波材料的方法，包括如下步驟：

1）在襯底上制備金屬膜；

2）采用感應耦合等離子體增強化學氣相沉積技術生長含硅層；

3）烘烤后旋涂電子束正性光刻膠，再烘烤；

4）對光刻膠曝光并顯影后，得到電子束正性光刻膠周期結構圖形；

5）采用電子束蒸發沉積金屬膜；

6）利用剝離工藝得到具有金屬膜/含硅介質層/具周期結構的金屬膜結構的吸波材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1）中所述襯底經過如下處理：

1)將硅襯底放入丙酮溶液中,超聲清洗5-10min；

2)取出襯底放入異丙醇中超聲清洗5-10min；

3)取出襯底用去離子水清洗干凈，使用氮氣槍將襯底吹干；

4)將襯底放入HF和去離子水的混合液中；

5)取出后用去離子水清洗干凈，并吹干。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1）和步驟5）中所述金屬為Ti和/或Au；

優選地，所述制備金屬膜的方法通過濺射和/或電子束蒸發工藝得到。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1）和步驟5）所述金屬膜的厚度為保證電磁波不透過，優選為不低于200nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2）所述含硅層為SiO₂膜和/或Si₃N₄膜；

優選地，所述含硅層的厚度根據波吸收的頻段而定，優選為15-35μm，進一步優選為25μm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）所述烘烤通過熱板和/或烘箱完成；

優選地，旋涂電子束正性光刻膠前烘烤的溫度為150-200℃，優選180℃；使用熱板烘烤的時間為4-15min，優選為5-10min；

優選地，旋涂電子束正性光刻膠后烘烤的溫度為150-200℃，優選180℃；使用熱板烘烤的時間為1-10min，優選為2min，使用烘箱烘烤的時間為10min以上，優選為10-60min。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）所述電子束正性光刻膠為ZEP520A和/或PMMA。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4）對光刻膠曝光并顯影通過電子束直寫技術和/或紫外光刻完成。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟6）所述剝離工藝為：使用除膠劑，并加適當超聲進行；

優選地，所述除膠劑為丁酮。

10.一種吸波材料，其特征在于，所述吸波材料通過權利要求1-9任一項所述方法制備。