[發(fā)明專利]一種基于溝槽底部的金屬層形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410046778.6 | 申請日: | 2014-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN104835714A | 公開(公告)日: | 2015-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李理 | 申請(專利權(quán))人: | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 100871 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 溝槽 底部 金屬 形成 方法 | ||
1.一種基于溝槽底部的金屬層形成方法,其特征在于,包括:
采用第一酸性溶液清洗半導(dǎo)體器件的溝槽;
依次在所述溝槽的上下平面以及側(cè)壁形成金屬層和樹脂層,并對所述樹脂層進(jìn)行加熱固化處理;
采用干法刻蝕的方法對所述樹脂層進(jìn)行去除處理,以露出所述溝槽的上平面以及側(cè)壁上方部分的金屬層;
采用第二酸性溶液去除所述露出的所述溝槽的上平面以及側(cè)壁上方部分的金屬層,并采用所述干法刻蝕的方法去除剩余的樹脂層,以在所述溝槽的下平面上覆蓋所述金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一酸性溶液包括鹽酸和純水,所述鹽酸和純水的配比的范圍為1:20至1:5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二酸性溶液包括如下一種或者幾種的組合:硫酸、鹽酸、硝酸和氫氟酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述金屬層為鎳層、鈦層、鋁層、鉑層、銀層或者金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述樹脂層為苯并環(huán)丁烯層或者聚酰亞胺層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法,其特征在于,所述對所述樹脂層進(jìn)行加熱固化處理,包括:
從室溫開始進(jìn)行加溫處理,直至升溫到預(yù)設(shè)溫度后,在所述預(yù)設(shè)溫度下,采用預(yù)設(shè)時間對所述樹脂層進(jìn)行固化處理;
在達(dá)到所述預(yù)設(shè)時間后,進(jìn)行降溫處理,以降低到所述室溫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)溫度大于或等于150℃,且小于或等于300℃;所述預(yù)設(shè)時間大于或等于1小時,且小于或等于24小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述干法刻蝕的方法為反應(yīng)離子刻蝕方法或者感應(yīng)耦合等離子體方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





