[發(fā)明專利]功率晶體管布置以及具有該布置的封裝體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410046687.2
• 申請(qǐng)日: 2014-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN103985703B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·奧特雷姆巴;J·赫格勞爾;J·施雷德爾;X·施勒格爾;K·希斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種功率晶體管布置，包括：

載體，至少包括主區(qū)域以及第一端子區(qū)域和第二端子區(qū)域，所述主區(qū)域、所述第一端子區(qū)域和所述第二端子區(qū)域相互電隔離；

第一功率晶體管，具有控制電極以及第一功率電極和第二功率電極，所述第一功率晶體管被布置于所述載體的所述主區(qū)域上，使得所述第一功率晶體管的所述第一功率電極面朝所述載體的所述主區(qū)域并且電耦合至所述載體的所述主區(qū)域；

第二功率晶體管，具有控制電極以及第一功率電極和第二功率電極，

所述第二功率晶體管被布置于所述第一端子區(qū)域和所述第二端子區(qū)域上，使得所述第二功率晶體管的所述控制電極和所述第二功率晶體管的所述第一功率電極面朝所述載體的所述端子區(qū)域，

其中所述第二功率晶體管的所述控制電極電耦合至所述載體的所述第一端子區(qū)域，并且其中所述第二功率晶體管的所述第一功率電極電耦合至所述載體的所述第二端子區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述載體的所述主區(qū)域具有至少10mm²的尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率晶體管布置，

其中所述載體的所述主區(qū)域具有小于或者等于300mm²的尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

所述載體的所述第一端子區(qū)域和所述第二端子區(qū)域中的至少一個(gè)端子區(qū)域具有小于或者等于1mm²的尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第二功率晶體管是低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管被布置于所述載體的所述主區(qū)域上，使得所述第一功率晶體管的所述控制電極背離所述載體的所述主區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管的所述控制電極電耦合至所述第一端子區(qū)域和所述第二端子區(qū)域之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管的所述控制電極借由接線電耦合至所述第一端子區(qū)域和所述第二端子區(qū)域之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管是高電子遷移率晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率晶體管布置，

其中所述高電子遷移率晶體管是氮化鎵高電子遷移率晶體管、碳化硅高電子遷移率晶體管和高壓硅高電子遷移率晶體管之一。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管的所述第二功率電極與所述第二功率晶體管的所述第二功率電極相互電耦合。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管的所述第二功率電極與所述第二功率晶體管的所述第二功率電極借由導(dǎo)電耦合結(jié)構(gòu)而相互電耦合。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的功率晶體管布置，

其中所述耦合結(jié)構(gòu)包括金屬和金屬合金中的至少一個(gè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的功率晶體管布置，

其中所述耦合結(jié)構(gòu)包括選自由以下項(xiàng)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)組的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)：

夾具；

帶；

接線；

板；以及

導(dǎo)體跡線。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述載體是引線框架結(jié)構(gòu)；

其中所述主區(qū)域是引線框架；

其中所述第一端子區(qū)域是所述引線框架結(jié)構(gòu)的第一引線；并且

其中所述第二端子區(qū)域是所述引線框架結(jié)構(gòu)的第二引線。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管按共源共柵電路布置進(jìn)行連接。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管布置，

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管按半橋電路布置進(jìn)行連接。