[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201410046438.3 | 申請日： | 2010-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN103779426A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;鄉戶宏充;須澤英臣;笹川慎也;倉田求;三上真弓 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 葉曉勇;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
氧化物半導體層；
源電極，所述源電極包括：
????第一導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第二導電層；
漏電極，所述漏電極包括：
????第三導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第四導電層；
與所述氧化物半導體層鄰近的柵電極；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述柵電極之間的柵極絕緣層，
其中，所述柵電極與所述氧化物半導體層彼此重疊，
其中，所述第一導電層在所述第二導電層之上，并且所述第二導電層具有比所述第一導電層高的電阻，
其中，所述第三導電層在所述第四導電層之上，并且所述第四導電層具有比所述第三導電層高的電阻，
其中，所述第二導電層延伸超過所述第一導電層的端部，
其中，所述第四導電層延伸超過所述第三導電層的端部，
其中，所述第一導電層的端部與所述第三導電層的端部彼此相對，以及
其中，所述氧化物半導體層的材料包括In、Ga、Zn以及O。
2.一種半導體裝置，包括：
氧化物半導體層；
源電極，所述源電極包括：
????第一導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第二導電層；
漏電極，所述漏電極包括：
????第三導電層；以及
????與所述氧化物半導體層接觸的第四導電層；
設置在所述氧化物半導體層和所述源電極和漏電極之間的絕緣膜，
與所述氧化物半導體層鄰近的柵電極；以及
設置在所述氧化物半導體層和所述柵電極之間的柵極絕緣層，
其中，所述柵電極與所述氧化物半導體層彼此重疊，
其中，所述第二導電層具有比所述第一導電層高的電阻，
其中，所述第四導電層具有比所述第三導電層高的電阻，
其中，所述第二導電層延伸超過所述第一導電層的端部，
其中，所述第四導電層延伸超過所述第三導電層的端部，
其中，所述第一導電層的端部與所述第三導電層的端部彼此相對，以及
其中，所述氧化物半導體層的材料包括In、Ga、Zn以及O。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層以及所述第四導電層各具有錐形形狀。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第一導電層和所述第三導電層的所述錐形形狀的錐角大于或等于30°并且小于或等于60°。
5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第二導電層和所述第四導電層的所述錐形形狀的錐角大于或等于30°并且小于或等于60°。
6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第二導電層的厚度和所述第四導電層的厚度為3nm至30nm。
7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一導電層的厚度和所述第三導電層的厚度為50nm至500nm。
8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一導電層和所述第三導電層包括選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬以及鎢的元素、所述元素的氮化物、或包含所述元素的合金。
9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第二導電層和所述第四導電層包括選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬以及鎢的元素、所述元素的氮化物、或包含所述元素的合金。
10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層設置在所述源電極和所述漏電極之上。
11.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述柵電極設置在所述氧化物半導體層之上。
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