[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201410046186.4
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN103996761B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 楊宗憲;徐子杰;陳怡名;賴易堂;楊治政;魏志偉;陳慶升;陳世益;許嘉良;許晏銘
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，包含︰

透明基板；

至少一半導體發光疊層位于該透明基板上，其中該半導體發光疊層包含靠近該透明基板的第一半導體層、遠離該透明基板的第二半導體層，及位于該第一半導體層與該第二半導體層之間的發光層，其中該發光層可發出一光線；及

接合層，位于該透明基板與該半導體發光疊層之間，該接合層包含靠近該第一半導體層的第一接合層，其中該第一半導體層具有第一折射率n₁，該透明基板具有第二折射率n₂，該第一接合層具有折射率n_b1，并且各該折射率滿足以下關系式:(n₁*n₂)^1/2+0.3≥n_b1≥(n₁*n₂)^1/2-0.3。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中該接合層還包含第二接合層，該第二接合層具有第二折射率n_b2，且較第一接合層遠離該第一半導體層。

3.如權利要求2所述的發光元件，其中該接合層還包含第三接合層，位于該第二接合層與該透明基板之間。

4.如權利要求1所述的發光元件，其中該第二折射率n₂與該第一折射率n₁相差1以上。

5.如權利要求2所述的發光元件，其中該第一接合層的折射率n_b1大于該第二接合層的折射率n_b2且小于該第一折射率n₁，該第二接合層的折射率n_b2大于該第二折射率n₂。

6.如權利要求2所述的發光元件，其中該第一接合層與該第二接合層包含金屬氧化物材料。

7.如權利要求6所述的發光元件，其中第一接合層至少具有一種金屬氧化物材料不同于第二接合層的金屬氧化物材料。

8.如權利要求6所述的發光元件，其中第一接合層的氧含量不同于第二接合層的氧含量。

9.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一半導體層靠近透明基板的表面為一粗糙面。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中包含多個半導體發光疊層，位于透明基板上，導線結構使多個半導體發光疊層于此透明基板上以串聯、并聯、串并聯的方式彼此電性連接。

11.如權利要求2所述的發光元件，其中各該折射率滿足以下關系式:n₁>n_b1>n_b2≥n₂。

12.如權利要求2所述的發光元件，其中第二接合層的折射率與透明基板的該第二折射率相同。

13.如權利要求2所述的發光元件，其中該第二接合層的材料包含氧化鋁(Al₂O₃)，該透明基板為藍寶石(sapphire)基板。

14.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一接合層的材料包含二氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、二氧化碲(TeO₂)、氧化釔(Y₂O₃)、二氧化鉿(HfO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、或是鈮酸鋰(LiNbO₃)。