[發明專利]實現基極電流補償的無運放內部電源結構

有效

• 申請號: 201410046112.0
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN103760944A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 田劍彪;馮樹;王堅奎;俞明華
• 申請（專利權）人: 紹興光大芯業微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的電源結構包括：

帶隙基準電壓生成模塊，用以生成帶隙基準電壓；

基極電流補償模塊，用以生成與所述的消耗基極電流大小相同的鏡像電流并將所述的鏡像電流反饋至所述的帶隙基準電壓生成模塊中三極管的基極。

2.根據權利要求1所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的帶隙基準電壓生成模塊包括共基極連接的第一三極管和第二三極管、電流鏡、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻，所述的第一三極管和第二三極管的集電極連接所述的電流鏡，所述的第一三極管的發射極通過所述的第二電阻接地，所述的第二三極管的發射極通過所述的第一電阻和第二電阻接地，所述的第三電阻的第一端與所述的第二三極管的集電極相連接，所述的第三電阻的第二端與所述的第四電阻的第一端相連接，所述的第四電阻的第二端接地，所述的第三電阻的第二端與所述的第一三極管、第二三極管的基極相連接，所述的第三電阻的第一端輸出帶隙基準電壓。

3.根據權利要求2所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的帶隙基準電壓生成模塊還包括調整器件，所述的調整器件連接于所述的第二三極管的集電極和所述的第三電阻的第一端之間。

4.根據權利要求2所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的基極電流補償模塊包括第三三極管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管，所述的第三三極管連接于所述的第三電阻的第二端，所述的第三三極管的發射極通過所述的第二電阻接地，所述的第三MOS管和第四MOS管共柵極連接，所述的第三MOS管連接于所述的第二MOS管的漏極和接地端之間，所述的第四MOS管的漏極分別連接所述的第四三極管的發射極和第六MOS管的漏極，所述的第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管共柵極連接，所述的第一MOS管連接于所述的第三電阻的第一端和第三三極管的集電極之間，所述的第五MOS管連接于所述的第三電阻的第一端和第四三極管的集電極之間，所述的第七MOS管和第八MOS管共柵極連接，所述的第九MOS管和第十MOS管共柵極連接，所述的第七MOS管通過所述的第九MOS管連接所述的第四三極管的基極，所述的第八MOS管通過所述的第十MOS管與所述的第三電阻的第二端相連接。

5.根據權利要求4所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的基極電流補償模塊還包括第六MOS管，所述的第六MOS管的柵極與所述的第四三極管的集電極相連接，所述的第六MOS管的源極與所述的第三電阻的第一端相連接，所述的第六MOS管的漏極與所述的第四三極管的發射極相連接。

6.根據權利要求4所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的第八MOS管的寬比長為所述的第七MOS管的寬比長的三倍。

7.根據權利要求4所述的實現基極電流補償的無運放內部電源結構，其特征在于，所述的第四MOS管、第四三極管、第六MOS管、第七MOS管、第九MOS管的電壓滿足以下公式：

V_REF-V_GS7-V_GS9＜V_REF-V_GS6

V_REF-V_GS7-V_GS9-V_BE4＞V_DS4；

其中，V_REF為所述的帶隙基準電壓生成模塊的輸出電壓，V_BE4為第四三極管基極和發射極之間的電壓值，V_DS4為第四MOS管漏極和源極之間的電壓值，V_GS6為第六MOS管柵極和源極之間的電壓值，V_GS7為第七MOS管柵極和源極之間的電壓值，V_GS9為第九MOS管柵極和源極之間的電壓值。