[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201410046022.1
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN103985800B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 勝野弘;三木聰;伊藤俊秀;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 肖靖

1.一種半導體發光器件，包括：

第一金屬層；

半導體發光單元，在第一方向上與所述第一金屬層分離；

第二金屬層，被設置在所述第一金屬層和所述半導體發光單元之間以電連接到所述第一金屬層，所述第二金屬層是反光的，所述第二金屬層包含：

接觸金屬部分，與所述半導體發光單元接觸，以及

外周金屬部分，當被投影到與所述第一方向正交的平面上時，所述外周金屬部分被設置為圍繞所述接觸金屬部分，所述外周金屬部分具有與所述半導體發光單元分離的外緣部分；

第三金屬層，該第三金屬層是反光的，所述第三金屬層包含：

內部分，被設置在所述半導體發光單元和所述外緣部分之間，

中間部分，當被投影到所述平面上時，該中間部分與所述半導體發光單元重疊，并且與所述外緣部分不重疊，以及

外部分，當被投影到所述平面上時，該外部分在所述半導體發光單元的外側；以及

絕緣單元，該絕緣單元包含：

第一絕緣部分，被設置在所述中間部分和所述半導體發光單元之間、以及在所述內部分和所述半導體發光單元之間，

第二絕緣部分，被設置在所述內部分和所述第一金屬層之間、以及在所述外部分和所述第一金屬層之間，以及

第三絕緣部分，與所述第一絕緣部分和所述第二絕緣部分連續。

2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括電極層，

所述半導體發光單元被布置在所述電極層和所述第一金屬層之間。

3.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，其中，所述第三金屬層電連接到從所述第一金屬層和所述電極層中選擇出的一個。

4.根據權利要求2所述的器件，其特征在于，其中，所述電極層包含從鋁和銀中選擇出的至少一個。

5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，進一步包括：

焊盤部分，被設置成與所述第一金屬層電絕緣，該焊盤部分被設置在所述第一金屬層的與所述半導體發光單元相對置的表面處的所述第一金屬層的一側上；

電極層，與所述第一金屬層電絕緣；

互連層，與所述第一金屬層電絕緣；以及

層間絕緣層，

所述半導體發光單元包含：

第一導電類型的第一半導體層，具有第一半導體部分以及第二半導體部分，在與所述平面平行的方向上，所述第二半導體部分與所述第一半導體部分一起排列；

第二半導體層，被設置在所述第一半導體部分和所述接觸金屬部分之間；以及

發光層，被設置在所述第一半導體部分和所述第二半導體層之間，

所述電極層被設置在所述第二半導體部分和所述第一金屬層之間以電連接到所述第二半導體部分，

所述互連層被設置在所述第一金屬層和所述第二半導體部分之間以電連接到所述電極層和所述焊盤部分，

所述層間絕緣層包含：

第一層間絕緣部分，被設置在所述電極層和所述第一金屬層之間；

第二層間絕緣部分，被設置在所述互連層和所述第一金屬層之間；以及

第三層間絕緣部分，被設置在所述焊盤部分和所述第一金屬層之間。

6.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，其中，當被投影到所述平面上時，所述第二金屬層的一部分與從所述電極層和所述互連層中選擇出的至少一個重疊。

7.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，其中，所述層間絕緣層進一步具有第四層間絕緣部分，該第四層間絕緣部分被設置在所述互連層和所述第二半導體部分之間。

8.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，其中，所述第三金屬層被電連接到從所述第一金屬層和所述電極層中選擇出的一個。

9.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，其中，所述電極層包含從鋁和銀中選擇出的至少一個。

10.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，其中，所述第三金屬層包含從鋁和銀中選擇出的至少一個。

11.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，其中，從所述半導體發光單元射出的、將在所述半導體發光單元的與所述第一金屬層相反的一側上從所述半導體發光單元的表面射出的光的強度高于從所述半導體發光單元射出的、將在所述第一金屬層的一側上從所述半導體發光單元的表面射出的光的強度。