[發(fā)明專利]一種制作半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410045868.3
• 申請(qǐng)日: 2014-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN104835726A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳勇;平延磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成虛擬柵極，

其中所述虛擬柵極包括虛擬柵極材料層、覆蓋層和高K介電層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介電層，所述層間介電層的頂部和所述虛擬柵極的頂部齊平；

去除所述虛擬柵極材料層，以露出所述覆蓋層；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成功函數(shù)金屬層、阻擋層、多晶硅層和金屬層；

執(zhí)行熱處理工藝，以使所述多晶硅層和所述金屬層反應(yīng)形成金屬硅化物層；

執(zhí)行平坦化工藝，以露出所述層間介電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用CVD工藝或者熔爐工藝形成所述多晶硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鎳、鈷或者鉑中的一種或者幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱處理工藝的反應(yīng)溫度為300℃至600℃，所述熱處理工藝的反應(yīng)時(shí)間為10s至3600s，在通入氮?dú)饣蛘邭鍤獾臈l件下執(zhí)行所述熱處理工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述功函數(shù)金屬層為N型功函數(shù)金屬層或者P型功函數(shù)金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用ALD工藝或者PVD工藝形成所述P型功函數(shù)金屬層，所述P型功函數(shù)金屬層的厚度為10埃至200埃，所述P型功函數(shù)金屬層為TiN層、TaN層或者TaN和TiN組成的金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用ALD工藝或者PVD工藝形成所述N型功函數(shù)金屬層，所述N型功函數(shù)金屬層的厚度為10埃至200埃，所述N型功函數(shù)金屬層為TiAl層、Ti和Al組成的金屬層或者Al和TiN組成的金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用ALD工藝或者PVD工藝形成所述阻擋層，所述阻擋層的材料為TaN或者TiN，所述阻擋層的厚度為20埃至80埃。