[發明專利]氧化物膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410045815.1
• 申請日: 2014-02-08
• 公開（公告）號: CN103774114A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王曉峰;尹玉華;李麗娟;霍自強;王軍喜;李晉閩;曾一平
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/44
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種氧化物膜的制備方法，包括如下步驟：

步驟S1：將氧化物粉末和石墨粉混合，放入反應舟中，反應舟放入石英反應管內；

步驟S2：將清洗、吹干后的襯底放在襯底托上，放入石英反應管內；

步驟S3：向石英反應管和反應舟內中分別通入惰性氣體；

步驟S4：加熱石英反應管；

步驟S5：調節反應舟和襯底的工作溫度，調節石英反應管內的工作壓力，向石英反應管內通入含氧氣體，設定生長時間，在襯底上沉積氧化物薄膜，完成制備。

2.如權利要求1所述的氧化物膜的制備方法，其中所述的氧化物粉末為金屬元素的氧化物粉末或非金屬元素的氧化物粉末。

3.如權利要求2所述的氧化物膜的制備方法，其中該金屬元素的氧化物粉末或非金屬元素的氧化物粉末中的元素有多個氧化價態，其中至少有一個氧化價態為氣態；氧化物粉末和制備的氧化物膜的氧化價態為相同或不同。

4.如權利要求1所述的氧化物膜的制備方法，其中所述的將氧化物粉末和石墨粉混合，混合比例參照化學配比或石墨粉的量低于化學配比，但不低于化學配比摩爾量的四分之一。

5.如權利要求1所述的氧化物膜的制備方法，其中所述的惰性氣體為氮氣、氬氣、氦氣或氖氣，或其混合惰性氣體。

6.如權利要求1所述的氧化物膜的制備方法，其中所述的工作壓力為常壓或低壓。

7.如權利要求1所述的氧化物膜的制備方法，其中所述的含氧氣體為氧氣、水蒸氣、一氧化二氮、一氧化氮或二氧化氮，或其混合氣體。