[發(fā)明專利]扇出型方片級封裝的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410045787.3 | 申請日: | 2014-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN103745936A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳峰;耿菲 | 申請(專利權(quán))人: | 華進半導體封裝先導技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務(wù)所 32104 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區(qū)太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 扇出型方片級 封裝 制作方法 | ||
1.一種扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于,包括下述步驟:
第一步,提供承載片(101),在承載片(101)上貼覆粘結(jié)膠(102);
第二步,將芯片(103)正貼到粘結(jié)膠(102)上;
第三步,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第二類感光樹脂(104),第二類感光樹脂(104)包括阻焊油墨、感光綠漆、干膜或感光型增層材料,第二類感光樹脂(104)將芯片(103)覆蓋;
第四步,去除芯片(103)正面的有效圖形區(qū)域以外的第二類感光樹脂(104),露出芯片(103)的有效圖形區(qū)域,使得芯片焊盤(106)暴露在外;
第五步,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第一類感光樹脂(107),第一類感光樹脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亞胺或陶氏化學公司的Intervia材料;第一類感光樹脂(107)將芯片(103)暴露出的有效圖形區(qū)域覆蓋;
第六步,在第一類感光樹脂(107)中形成通向芯片焊盤(106)的導通孔(108);
第七步,在導通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積一層種子層(109);在種子層(109)上涂覆光刻膠(110),然后使得光刻膠(110)上顯露出用于制作電鍍線路(111)的圖形,使用電鍍的方法,在顯露出的圖形區(qū)域中形成電連接芯片焊盤(106)的電鍍線路(111);
第八步,去除光刻膠(110)和光刻膠底部的種子層(109),保留電鍍線路(111)底部的種子層(109);在承載片(101)上再次涂覆一層第二類感光樹脂(104),使得上層的第二類感光樹脂(104)覆蓋電鍍線路(111);
然后在上層的第二類感光樹脂(104)上顯露出電鍍線路(111)上的金屬焊盤(112);
第九步,在金屬焊盤(112)上形成焊球(113)。
2.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第一步中,承載片(101)為矩形,材料為玻璃、金屬板或有機基板。
3.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第三步中,涂覆第二類感光樹脂(104)的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。
4.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第四步中,具體在曝光機中通過對位曝光工藝,使第二類感光樹脂(104)發(fā)生反應(yīng),使用顯影液將芯片(103)正面的有效圖形區(qū)域以外的第二類感光樹脂(104)去除。
5.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第五步中,涂覆第一類感光樹脂(107)的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。
6.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第七步中,通過濺射金屬或化學沉銅工藝,在導通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積種子層(109)。
7.如權(quán)利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作方法,其特征在于:
所述第九步中,通過植球、印刷、電鍍或化學鍍工藝形成焊球(113)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





