[發明專利]LaNiO3薄膜形成用組合物及使用該組合物的LaNiO3薄膜的形成方法有效
| 申請號： | 201410045429.2 | 申請日： | 2014-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN103979617B | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 藤井順;櫻井英章;曽山信幸 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C01G53/00 | 分類號： | C01G53/00;H01B1/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | lanio sub 薄膜 形成 組合 使用 方法 | ||
1.一種LaNiO3薄膜形成用組合物，其為用于形成LaNiO3薄膜的組合物，所述LaNiO3薄膜形成用組合物的特征在于，
所述組合物包含：LaNiO3前驅體；第1有機溶劑，選自羧酸、醇、酯、酮類、醚類、環烷類、芳香族系及四氫呋喃中的一種或兩種以上；作為穩定劑的烷醇胺；及第2有機溶劑，沸點為150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面張力，
所述組合物100質量％中的所述LaNiO3前驅體的比例以氧化物換算為1～20質量％，
所述穩定劑的比例相對于所述組合物中的LaNiO3前驅體的總量1摩爾超過0且為10摩爾以下，
所述組合物100質量％中的所述第2有機溶劑的比例為5～20質量％。
2.根據權利要求1所述的LaNiO3薄膜形成用組合物，其中，
所述LaNiO3前驅體為金屬羧酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬醇鹽、金屬二醇絡合物、金屬三醇絡合物、金屬β-二酮絡合物、金屬β-二酮酯絡合物、金屬β-亞氨基酮絡合物或金屬氨基絡合物。
3.根據權利要求2所述的LaNiO3薄膜形成用組合物，其中，
所述LaNiO3前驅體中，成為La源的LaNiO3前驅體或成為Ni源的LaNiO3前驅體中的至少一個為醋酸鹽、硝酸鹽或辛酸鹽。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的LaNiO3薄膜形成用組合物，其中，
所述第2有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、4-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮及碳酸丙烯酯中的至少一種。
5.一種LaNiO3薄膜的形成方法，其中，
所述LaNiO3薄膜的形成方法使用權利要求1至4中任一項所述的LaNiO3薄膜形成用組合物。
6.一種LaNiO3薄膜的形成方法，其中，
將權利要求1至4中任一項所述的LaNiO3薄膜形成用組合物涂布于耐熱性基板上來形成涂膜，將具有所述涂膜的基板在大氣壓的氧化氣氛或含水蒸氣氣氛中預燒后，或者反復進行兩次以上從所述涂膜的形成至預燒的過程直至成為所希望的厚度以后，以結晶溫度以上的溫度進行燒成。
7.一種制造具有通過權利要求5或6所述的方法形成的LaNiO3薄膜的復合電子組件的各電極的方法，其中，所述復合電子組件包括電容器、集成無源器件、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、驅動器、諧振器、超聲波馬達、電器開關、光學開關或LC噪聲濾波器元件。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述電容器為薄膜電容器、DRAM存儲器用電容器、層疊電容器或鐵電隨機存取存儲器用電容器。
9.一種制造用于復合電子組件的介質層的結晶取向性控制層的方法，該復合電子組件具有通過權利要求5或6所述的方法形成的LaNiO3薄膜，其中，所述復合電子組件包括電容器、集成無源器件、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、驅動器、諧振器、超聲波馬達、電器開關、光學開關或LC噪聲濾波器元件。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述電容器為薄膜電容器、DRAM存儲器用電容器、層疊電容器或鐵電隨機存取存儲器用電容器。
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