[發明專利]功率晶體管裝置和用于制造功率晶體管裝置的方法

有效

• 申請號: 201410045302.0
• 申請日: 2014-02-07
• 公開（公告）號: CN103972193B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: R·奧特雷姆巴;J·赫格勞爾;J·施雷德爾;X·施勒格爾;K·希斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L21/58;H01L25/07
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張臻賢

1.一種功率晶體管裝置，包括：

載體；

第一功率晶體管，具有控制電極和第一功率電極和第二功率電極；

第二功率晶體管，具有控制電極和第一功率電極和第二功率電極；

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管彼此緊鄰地布置在所述載體上，使得所述第一功率晶體管的所述控制電極和所述第二功率晶體管的所述控制電極面向所述載體。

2.根據權利要求1所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極和所述第二功率晶體管的所述第一功率電極背對所述載體；并且

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極和所述第二功率晶體管的所述第一功率電極彼此電耦合。

3.根據權利要求2所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極和所述第二功率晶體管的所述第一功率電極利用導電耦合結構彼此電耦合。

4.根據權利要求3所述的功率晶體管裝置，

其中所述耦合結構包括金屬和金屬合金中的至少一個。

5.根據權利要求3所述的功率晶體管裝置，

其中所述耦合結構包括選自由以下各項組成的結構的組中的至少一個結構：

線夾；

條帶；

導線；

板；以及

導體軌道。

6.根據權利要求3所述的功率晶體管裝置，

其中所述耦合結構具有1K/W或更小的熱電阻。

7.根據權利要求2所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極是所述第一功率晶體管的源極電極和發射極電極之一；

其中所述第二功率晶體管的所述第一功率電極是所述第二功率晶體管的漏極電極和集電極電極之一。

8.根據權利要求2所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極是所述第一功率晶體管的源極電極和發射極電極之一；

其中所述第二功率晶體管的所述第一功率電極是所述第二功率晶體管的源極電極和發射極電極之一。

9.根據權利要求2所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管的所述第一功率電極是所述第一功率晶體管的漏極電極和集電極電極之一；

其中所述第二功率晶體管的所述第一功率電極是所述第二功率晶體管的漏極電極和集電極電極之一。

10.根據權利要求1所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管是高電子遷移率晶體管。

11.根據權利要求10所述的功率晶體管裝置，

其中所述高電子遷移率晶體管是氮化鎵高電子遷移率晶體管、碳化硅高電子遷移率晶體管、以及高壓硅高電子遷移率晶體管之一。

12.根據權利要求1所述的功率晶體管裝置，

其中所述第二功率晶體管是低壓金屬氧化物半導體場效應晶體管。

13.根據權利要求1所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管是相同晶體管類型的晶體管。

14.根據權利要求13所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管是場效應晶體管和絕緣柵雙極晶體管之一。

15.根據權利要求1所述的功率晶體管裝置，

其中所述第一功率晶體管和所述第二功率晶體管是相同的電壓等級。

16.根據權利要求3所述的功率晶體管裝置，

其中所述導電耦合結構與任何功率晶體管裝置外部端子電隔離。