[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410045284.6
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN104821281A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施林波;陳福成
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于：包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成凹槽；

在所述凹槽中填充金屬材料層；

采用車刀切割去除部分所述金屬材料層，使得所述凹槽內(nèi)的剩余金屬材料層表面與所述半導(dǎo)體襯底表面齊平；

使兩塊所述半導(dǎo)體襯底鍵合連接，鍵合時(shí)將兩塊所述半導(dǎo)體襯底相對堆疊且兩塊半導(dǎo)體襯底內(nèi)的金屬材料層表面相互貼合。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述鍵合連接的工藝參數(shù)包括：溫度為150～250℃，壓強(qiáng)為3～7MPa，持續(xù)時(shí)間為20～60min。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述車刀切割的工藝參數(shù)包括：控制刀具的主軸轉(zhuǎn)速為1000～3500rpm，進(jìn)刀量為10～30m/min，背刀量為0.5～3μm。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述車刀切割采用的刀具的材料為金剛石。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述車刀切割采用的刀具為圓形，且直徑為2～5mm。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述鍵合工藝后，還包括：進(jìn)行退火工藝。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度大于鍵合工藝的溫度。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度小于或等于300℃，退火時(shí)間為40～80min。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在所述車刀切割后，還包括：清洗所述金屬材料層。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，清洗所述金屬材料層的清洗液包括檸檬酸溶液。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述金屬材料層為銅層，在所述凹槽中填充金屬材料層的步驟包括：

在所述凹槽底部以及側(cè)壁形成銅籽晶層；

采用電鍍工藝在所述凹槽內(nèi)填充滿銅。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，采用車刀切割去除部分所述金屬材料層的步驟包括：使車刀切割后金屬材料層表面的粗糙度Ra≤0.02μm。