[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410045283.1
• 申請(qǐng)日: 2014-01-30
• 公開（公告）號(hào): CN104817055B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李新;戚德奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成腔體層；

在所述腔體層中形成空腔；

在空腔內(nèi)填充犧牲層；

在犧牲層上方形成通孔結(jié)構(gòu)，所述通孔結(jié)構(gòu)具有露出犧牲層的通孔；

去除所述犧牲層；

在空腔內(nèi)填充犧牲層的步驟包括：在所述腔體層表面旋涂溶解有聚碳酸亞丙酯材料的苯甲醚溶液，使所述苯甲醚溶液填充至空腔內(nèi)部；

使苯甲醚溶液蒸發(fā)，在空腔內(nèi)部以及腔體層表面形成聚碳酸亞丙酯材料層；

去除腔體層上表面的聚碳酸亞丙酯材料層，保留位于空腔內(nèi)部的聚碳酸亞丙酯材料層，位于空腔內(nèi)部的聚碳酸亞丙酯材料層為所述犧牲層。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于運(yùn)動(dòng)傳感器中，在形成腔體層之前，還包括：

在所述襯底表面覆蓋第一介電層。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述腔體層中形成空腔的步驟包括：對(duì)所述腔體層進(jìn)行刻蝕，形成空腔，所述空腔底部露出所述第一介電層。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于運(yùn)動(dòng)傳感器中，所述腔體層材料為鋁，用作所述運(yùn)動(dòng)傳感器的固定電極。

5.如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，在形成空腔之后，形成通孔結(jié)構(gòu)之前，還包括：

在所述空腔內(nèi)壁、空腔底部以及腔體層表面形成第二介電層，用于使所述固定電極絕緣。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，使苯甲醚溶液蒸發(fā)的步驟包括：蒸發(fā)苯甲醚溶液的溫度在70攝氏度到150攝氏度的范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于運(yùn)動(dòng)傳感器中，提供襯底的步驟包括：提供第一晶圓，所述第一晶圓作為作為襯底；

在犧牲層上方形成通孔結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一晶圓上鍵合第二晶圓；

對(duì)第二晶圓進(jìn)行減薄處理，在空腔上方的第二晶圓中形成露出所述犧牲層的多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔構(gòu)成所述通孔結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層的步驟包括：通過熱處理去除所述空腔內(nèi)的聚碳酸亞丙酯材料層。

9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，進(jìn)行熱處理步驟中，溫度在200攝氏度到300攝氏度的范圍內(nèi)。