[發明專利]在多層存儲器結構中存儲糾錯碼

有效

• 申請號: 201410045165.0
• 申請日: 2014-02-07
• 公開（公告）號: CN103984605B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: R·J·高斯;M·A·蓋爾特納;A·帕塔波蒂安
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G06F12/0897
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 何焜

1.一種在多層存儲器結構中存儲糾錯碼的方法，包括：

在多層存儲器結構的第一非易失性存儲器層中存儲數據對象；

生成在讀取操作期間檢測數據對象中至少一個位錯誤的ECC數據集；以及

在多層存儲器結構的不同的第二非易失性存儲器層中存儲所述ECC數據集，

其中，存儲步驟包括：響應于和數據對象的大小相關的ECC數據集的大小，在所述多層存儲器結構中從多個可用較低層選擇所述第二非易失性存儲器層，

其中，響應于與所述數據對象相關聯的數據屬性和與所述第二非易失性存儲器層相關聯的存儲屬性，選擇所述第二非易失性存儲器層，

其中，所述ECC數據集具有根據與所述數據對象相關聯的數據屬性和與其中存儲了ECC數據集的所述第二非易失性存儲器層相關聯的存儲屬性而選擇和調整的大小和強度。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述多層存儲器結構包括多個非易失性存儲器層，各個非易失性存儲器層具有不同的數據傳輸屬性并對應從最高到最低的順序按優先級順序配置的存儲器單元格結構。

3.如權利要求2所述的方法，其中在多層存儲器結構中，所述第一非易失性存儲器層是比起所述第二非易失性存儲器層的較高層。

4.如權利要求2所述的方法，其中在多層存儲器結構中，所述第一非易失性存儲器層是比起所述第二非易失性存儲器層的較低層。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述存儲步驟進一步包括：響應于相對于所述第一非易失性存儲器層的數據I/O傳輸速率的所述第二非易失性存儲器層的數據I/O傳輸速率，在所述多層存儲器結構中從所述多個可用較低層選擇所述第二非易失性存儲器層。

6.如權利要求1所述的方法，其中，在共同的逝去時間間隔，所述數據對象和ECC數據集同時存儲到相應的第一和第二非易失性存儲器層。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述數據對象包括由請求者設備提供的至少一個用戶數據塊用于存儲在所述多層存儲器結構中，所述ECC數據集包括適用于在讀回操作期間檢測并校正數據塊中多達至少一位錯誤的碼字。

8.如權利要求1所述的方法，進一步包括：生成包括地址信息的元數據單元，所述地址信息識別所述第一非易失性存儲器層中所述數據對象的存儲位置以及所述第二非易失性存儲器層中ECC數據集的存儲位置，其中所述元數據單元被存儲在多層存儲器結構中的不同的第三非易失性層中。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述第一或第二非易失性存儲器層中所選之一包括可重寫非易失性存儲器單元格，以及所述第一或第二層的剩余一個包括可擦除非易失性存儲器單元格。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述多層存儲器結構以順序提供從最快層到最慢層的多個層，第二層慢于第一層，以及其中所述方法進一步包括：在所述第一層中存儲第二數據對象以及相應的第二ECC數據集，以校正第三層中所述第二數據對象中的至少一位錯誤，所述第三層快于所述第一層。

11.如權利要求1所述的方法，其中該多層存儲器結構包括多個非易失性存儲器層，各個非易失性存儲器層具有不同的數據存儲屬性，以及該方法進一步包括：通過匹配該數據對象和ECC數據集的數據存儲屬性到各個所述第一和第二非易失性存儲器層而選擇所述第一和第二非易失性存儲器層。