[發(fā)明專利]具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410045037.6 | 申請日： | 2014-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN104282777A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 戴煜暐;陳偉銘;洪傳獻 | 申請（專利權）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉雙;鮑俊萍 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 碳化硅 結晶 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池，其特征在于，包含：
一半導體基板，所述半導體基板具有粗糙化的一第一表面，所述第一表面設有一摻雜碳化硅層，所述摻雜碳化硅層包含一摻雜元素；
一抗反射層，設置于所述摻雜碳化硅層上；
多個正面電極，設置于所述抗反射層上且穿透所述抗反射層并與所述摻雜碳化硅層接觸；及
一背面電極層，設置于所述半導體基板一第二表面。
2.如權利要求1所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池，其特征在于，所述半導體基板為P型半導體基板或N型半導體基板。
3.如權利要求2所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池，其特征在于，當所述半導體基板為P型半導體基板時，所述摻雜碳化硅層的所述摻雜元素為N型，其中N型的所述摻雜元素為磷、砷、銻、鉍或其組合。
4.如權利要求2所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池，其特征在于，當所述半導體基板為N型半導體基板時，所述摻雜碳化硅層的所述摻雜元素為P型，其中P型的所述摻雜元素為硼、鋁、鎵、銦、鉈或其組合。
5.如權利要求1所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池，其特征在于，所述半導體基板為一單晶硅基板或一多晶硅基板。
6.一種具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含：
提供一半導體基板；
以離子植入法將碳元素植入所述半導體基板的一第一表面再以高溫退火而形成一碳化硅層；
摻雜一摻雜元素至所述碳化硅層，使所述碳化硅層形成一摻雜碳化硅層；
形成至少一抗反射層于所述摻雜碳化硅層上；
形成多個正面電極于所述抗反射層上；及
形成一背面電極于所述半導體基板的一第二表面。
7.如權利要求6所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述半導體基板為P型半導體基板或N型半導體基板。
8.如權利要求7所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，當所述半導體基板為P型半導體基板時，所述摻雜碳化硅層的所述摻雜元素為N型，其中N型的所述摻雜元素為磷、砷、銻、鉍或其組合。
9.如權利要求7所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，當所述半導體基板為N型半導體基板時，所述摻雜碳化硅層的所述摻雜元素為P型，其中P型的所述摻雜元素為硼、鋁、鎵、銦、鉈或其組合。
10.如權利要求6所述的具摻雜碳化硅層的結晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述半導體基板為一單晶硅基板或一多晶硅基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
