[發明專利]一種熱插拔保護線路系統有效
| 申請號: | 201410044950.4 | 申請日: | 2014-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN103777554B | 公開(公告)日: | 2017-01-25 |
| 發明(設計)人: | 王武軍 | 申請(專利權)人: | 浪潮(北京)電子信息產業有限公司 |
| 主分類號: | G05B19/042 | 分類號: | G05B19/042 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司11262 | 代理人: | 王丹,栗若木 |
| 地址: | 100085 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 熱插拔 保護 線路 系統 | ||
1.一種熱插拔Hot?Swap保護線路系統,其特征在于,包括多個集成電路、主機模塊;其中各所述集成電路分別包括:保護模塊、開關模塊、控制開關模塊、控制接口模塊;所述控制接口模塊通過總線與所述主機模塊互連;
所述開關模塊的輸入端與集成電路外部的負載電源連接,所述開關模塊的輸出端與集成電路外部的負載連接;
所述保護模塊用于對所述開關模塊的參數值進行實時檢測,把檢測結果輸送到控制接口模塊,還用于對檢測結果進行判斷,如果檢測結果超出標準值的范圍,則向所述控制接口模塊發送請求保護動作指令;
所述控制接口模塊用于接收所述保護模塊發送的請求保護動作指令后,向所述控制開關模塊發送保護動作指令,記錄故障消息,向主機模塊發送故障消息,其中攜帶所在的集成電路的地址;
所述控制開關模塊用于控制所述開關模塊的導通與關斷;當控制開關模塊接收到所述控制接口模塊的保護動作指令,控制所述開關模塊的輸入端與輸出端的關斷;
所述主機模塊用于存儲發生故障的集成電路的地址。
2.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述開關模塊為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET;所述MOSFET的源極作為開關模塊的輸入端與所述負載相連,漏極作為開關模塊的輸出端與所述負載電源連接。
3.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述保護模塊包含電流傳感器、過流保護OCP模塊;
所述電流傳感器用于檢測所述開關模塊的電流值,將電流值轉換為電信號傳送給所述OCP模塊;
所述OCP模塊用于轉發所述電流傳感器檢測的電信號給所述控制接口模塊,并判斷所述電信號是否超過電流的標準值,如果超過電流的標準值,向所述控制接口模塊上報請求保護動作指令。
4.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述保護模塊包括過壓保護OVP模塊,所述OVP模塊用于檢測所述開關模塊的輸入端或輸出端電壓,判斷所述輸入端或輸出端電壓是否超過輸入電壓或輸出電壓的標準值的上限,如果超過輸入電壓或輸出電壓的標準值的上限,向所述控制接口模塊發送請求保護動作指令。
5.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述保護模塊包括輸入端欠壓保護VIN?UVLO模塊;所述VIN?UVLO模塊用于檢測開關模塊輸入端的電壓,當所述輸入端電壓低于輸入電壓的標準值的下限時,向所述控制接口模塊發送請求保護動作指令。
6.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述保護模塊包括欠壓保護VDD?UVLO模塊,所述VDD?UVLO模塊用于檢測與外部集成電路電源相連的集成電路引腳VDD的電壓,當引腳VDD的電壓的值低于門限值時,向所述控制接口模塊發送請求保護動作指令。
7.如權利要求2所述的系統,其特征在于,所述開關控制模塊包括場效應晶體管FET控制模塊和場效應晶體管FET驅動模塊;所述場效應晶體管FET控制模塊包括柵極驅動模塊、柵極欠壓保護Gate?UVLO模塊,啟動欠壓保護Boost?UVLO模塊、軟啟動模塊;
所述柵極驅動模塊用于設置所述開關模塊的開啟電壓;
所述軟啟動模塊用于限制所述開關模塊的開啟時間;
所述柵極欠壓保護Gate?UVLO模塊用于對所述開關模塊的柵極電壓進行欠壓保護;
所述啟動欠壓保護Boost?UVLO模塊用于對集成電路的引腳VBST進行欠壓保護;
所述場效應晶體管FET驅動模塊用于為所述開關模塊提供驅動電壓以驅使開關模塊工作。
8.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述控制接口模塊包括上電復位POR模塊,所述POR模塊用于存儲故障信息,所述故障信息包括故障類型。
9.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述主機模塊還用于存儲每個集成電路的地址;所述主機模塊通過PMBus總線與各個集成電路的控制接口模塊連接;當收到集成電路發送的故障消息時,保存該故障消息并與相應集成電路的地址對應。
10.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述集成電路內部還包括溫度傳感器,所述溫度傳感器檢測所述開關模塊的工作溫度,將所述溫度值作為電信號傳輸到控制接口模塊。
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