[發明專利]一種碳化硅功率器件結終端的制造方法有效
| 申請號： | 201410044255.8 | 申請日： | 2014-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103824760B | 公開（公告）日： | 2017-04-26 |
| 發明（設計）人： | 蔣華平;劉可安;吳煜東;李誠瞻;趙艷黎;吳佳;唐龍谷 | 申請（專利權）人： | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人： | 吳大建,劉華聯 |
| 地址： | 412001 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 功率 器件 終端 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅功率器件結終端的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：在外延層上淀積二氧化硅形成犧牲層，所述犧牲層的厚度為50nm-2000nm；
步驟2：在所述犧牲層上制作掩膜，以形成場限環的注入窗口；
步驟3：刻蝕所述犧牲層的未被所述掩膜覆蓋的部分；
步驟4：去除所述掩膜；
步驟5：注入離子，以同時形成所述場限環以及位于所述犧牲層下方的電荷補償層。
2.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，還包括步驟6：去除所述犧牲層。
3.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，步驟2中還形成主結的注入窗口，以在步驟5中還同時形成所述主結。
4.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，步驟2中采用光刻制作所述掩膜。
5.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，步驟3中采用干法刻蝕所述犧牲層的未被所述掩膜覆蓋的部分。
6.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，步驟4中采用濕法腐蝕去除所述掩膜。
7.根據權利要求1所述的結終端的制造方法，其特征在于，步驟5中高溫注入所述離子。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
