[發明專利]SMU RF晶體管穩定性裝置

在審

• 申請號: 201410044021.3
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN103969566A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: J.A.尼曼
• 申請（專利權）人: 基思利儀器公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;馬永利

1.一種用于測試被測試器件(DUT)的方法，包括：

將包括至少三個測試點的第一源測量單元SMU連接到第一組至少三個三軸電纜，每個三軸電纜至少具有中心信號導體、外屏蔽、中間導體以及接地端子，以便使得所述三個測試點中的每一個都被分別連接到第一組三個三軸電纜中的每一個的中心信號導體的第一端，并且其中第一組三軸電纜的外屏蔽中的每一個外屏蔽與接地端子電力耦合在一起；

將第一組三軸電纜中的每一個的第二端連接到被測試器件的一組節點；

將包括至少三個測試點的第二SMU連接到第二組至少三個三軸電纜，并且所述第二SMU具有中心信號導體、外屏蔽、中間導體以及接地端子以便使得三個測試點中的每一個都分別連接到第二組三個三軸電纜中的每一個的中心信號導體的第一端，并且其中第二組三軸電纜的外屏蔽中的每一個都與接地端電力地耦合在一起；

將第二組三軸電纜中的每一個的第二端連接到被測試器件的一組節點；

其中，所述第一組三軸電纜和第二組三軸電纜的外屏蔽電力地耦合在一起并且電力地耦合到它們相應的接地端子，

其中第一SMU和第二SMU進一步包括：

電力地耦合到第一測試點的第一輸入端子，所述第一輸入端子具有：

電力地與第一輸入端子串聯耦合的第一端接電阻器；

電力地與第一端接電阻器串聯耦合的第一保護電容器和第二保護電容器；

電力地與第一保護電容器和第二保護電容器耦合的第一保護電阻器；

電力地與它相應的接地端子串聯耦合的接地電容器；

電力地耦合到第二測試點的第二輸入端子，所述第二輸入端子具有：

電力地與第二輸入端子串聯耦合的第二端接電阻器；

電力地與第二端接電阻器串聯耦合的第三保護電容器和第四保護電容器；

電力地與第三保護電容器和第四保護電容器耦合的第二保護電阻器；以及

電力地耦合到第一輸入端子、第二輸入端子以及第三測試點的第三輸入端子，并且其中第三輸入端子還電力地耦合到接地電容器及其相應的接地端子。

2.根據權利要求1所述的方法，其中第一SMU和第二SMU每個都包括機架接地端子，第一組三軸電纜和第二組三軸電纜的相應的外屏蔽電力地耦合到機架接地端子。

3.根據權利要求1所述的方法，其中第一輸入端子被配置成接收Hi信號輸入。

4.根據權利要求1所述的方法，其中第二輸入端子被配置成接收感測Hi信號輸入。

5.根據權利要求1所述的方法，其中第三輸入端子被配置成接收Lo信號輸入。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述DUT是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)或運算放大器或三端分立器件。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述DUT以共發射極配置電力地耦合到第一組三軸電纜和第二組三軸電纜。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述DUT以共基極配置電力地耦合到第一組三軸電纜和第二組三軸電纜。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述DUT以共集電極配置電力地耦合到第一組三軸電纜和第二組三軸電纜。

10.根據權利要求1所述的方法，其中第一SMU和第二SMU每個都具有電力地耦合到第一測試點的相應的第一輸入端，每個SMU具有電力地與第一端接電阻器耦合的相應的第一輸入端子，每個SMU的終端電阻器具有至少50歐姆的電阻。

11.根據權利要求1所述的方法，其中第一組三軸電纜和第二組三軸電纜具有至少100歐姆的阻抗。

12.根據權利要求1所述的方法，其中每個SMU進一步包括分別電力地耦合到第一三軸電纜和第二三軸電纜的中間導體的第三保護電阻器。