[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410043936.2
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103972349B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸范斗;黃善教;金臺鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/32
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

公開了一種發(fā)光器件，包括：導(dǎo)電襯底；第一電極層，布置在導(dǎo)電襯底上；發(fā)光結(jié)構(gòu)，布置在第一電極層上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及布置在第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第二電極層，電連接至第二半導(dǎo)體層；以及抗裂層，布置在邊界上，發(fā)光結(jié)構(gòu)沿該邊界以芯片為單位被分割，其中抗裂層被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)下方并包括歐姆接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)的金屬材料。

相關(guān)申請到交叉引用

本申請要求于2013年1月30日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2013-0010618號的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用的方式并入此處。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件。

背景技術(shù)

作為發(fā)光器件的典型示例的發(fā)光二極管(LED)是使用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換為紅外光、可見光或光的器件。LED現(xiàn)在正被應(yīng)用于諸如家用電器、遠(yuǎn)程控制器、電子招牌、顯示器、各種自動(dòng)電器等器件，并且LED的應(yīng)用繼續(xù)擴(kuò)大。

通常，小型化LED被制造為表面安裝器件，以被直接安裝到印刷電路板(PCB)。因此，用作顯示器件的LED燈還被開發(fā)作為表面安裝器件。這種表面安裝器件可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的簡單照明器并用于照明顯示器、字符顯示器、圖像顯示器等，呈現(xiàn)各種顏色。

隨著LED的應(yīng)用范圍擴(kuò)大，用于日常使用的燈和用于呼救信號的燈所需的亮度增加。因此，重要的是增加LED的亮度。

另外，發(fā)光器件的電極應(yīng)當(dāng)具有優(yōu)良的粘附和電氣性能。

另外，提高發(fā)光器件的亮度和減小操作電壓的研究正在進(jìn)行中。另外，當(dāng)晶片在發(fā)光器件基底上被切割時(shí)，會不利地產(chǎn)生裂紋。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例提供一種減小正向電壓(VF)、提高發(fā)光效率并當(dāng)以芯片為單位切割時(shí)防止裂紋的發(fā)光器件。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種發(fā)光器件包括：導(dǎo)電襯底；第一電極層，布置在導(dǎo)電襯底上；發(fā)光結(jié)構(gòu)，布置在第一電極層上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及布置在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層；第二電極層，電連接至第二半導(dǎo)體層；以及抗裂層，布置在邊界上，發(fā)光結(jié)構(gòu)沿該邊界以芯片為單位被分割，其中抗裂層被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)下方并包括歐姆接觸發(fā)光結(jié)構(gòu)的金屬材料。

抗裂層可以形成封閉區(qū)域。

抗裂層可以被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)的外周上。

抗裂層可以具有30μm至70μm的寬度。

抗裂層可以包括Au、Be以及Au合金的至少之一。

抗裂層可以具有復(fù)合層結(jié)構(gòu)。

抗裂層可以與第一電極層齊平。

該發(fā)光器件還可以包括布置在第一電極層和第一半導(dǎo)體層之間以減小其間的反射率差的窗口層，其中抗裂層接觸窗口層的下部。

窗口層可以包括GaP、GaAsP或AlGaAs。

窗口層接觸抗裂層的區(qū)域可以摻雜有極性與第一半導(dǎo)體層相同的摻雜劑。

第一電極層可以包括：透明電極層，布置在導(dǎo)電襯底和第一半導(dǎo)體層之間；以及歐姆層，包括多個(gè)貫穿透明電極層的金屬接觸部分，其中每一個(gè)金屬接觸部分包括AuBe。

透明電極層的平面區(qū)域可以大于金屬接觸部分的平面區(qū)域。

金屬接觸部分的平面區(qū)域可以是透明電極層的平面區(qū)域的10％到25％。

金屬接觸部分的表面可以接觸第一半導(dǎo)體層。

發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括AlGaInP或GaInP。

附圖說明