[發明專利]功率器件的制造方法及功率器件

在審

• 申請號: 201410043913.1
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN104810246A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 李理;馬萬里;趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/58;H01L29/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有截止環、劃片道區、分壓區和有源區的半導體芯片上，對所述截止環和劃片道區進行刻蝕，以去除所述截止環和劃片道區的設定厚度；

在所述截止環和劃片道區的表面注入離子，以形成損傷層。

2.根據權利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于，在對所述截止環和劃片道區進行刻蝕之前，還包括：

在所述截止環、劃片道區、分壓區和有源區的表面涂覆光刻膠，形成膠層；

去除所述截止環和劃片道區表面的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的功率器件的制造方法，其特征在于，在所述截止環和劃片道區的表面注入離子之后，還包括：

去除所述分壓區和有源區表面的光刻膠。

4.根據權利要求3所述的功率器件的制造方法，其特征在于，所述設定厚度為0.1微米至10微米。

5.根據權利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于，對所述截止環和劃片道區進行刻蝕，包括：

采用干法刻蝕對所述截止環和劃片道區進行刻蝕。

6.根據權利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于，在所述截止環和劃片道區的表面注入的離子為氫離子、氦離子、硼離子、砷離子和鋁離子中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的功率器件的制造方法，其特征在于，離子注入的能量為100KeV至400KeV。

8.根據權利要求3所述的功率器件的制造方法，其特征在于，所述膠層的厚度為1微米至10微米。

9.一種功率器件，包括有源區、分壓區、設置在所述分壓區外圍的截止環、以及設置在所述截止環外圍的劃片道區，其特征在于：

所述截止環和劃片道區的下表面與所述分壓區和有源區齊平，上表面低于所述分壓區，所述截止環、劃片道區與所述分壓區的厚度差為設定厚度；

所述截止環和劃片道區的表面設置有注入離子形成的損傷層。

10.根據權利要求9所述的功率器件，其特征在于，所述設定厚度為0.1微米至10微米。