[發(fā)明專利]集成電路、半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410043900.4
• 申請日: 2014-01-30
• 公開（公告）號: CN103972234B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A.邁澤爾;S.蒂勒;M.聰?shù)聽?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/77
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,徐紅燕

1.一種包含半導(dǎo)體器件的集成電路，包括：

功率部件，其包括在單元陣列中的多個(gè)溝槽，所述多個(gè)溝槽在第一方向上延伸；

傳感器部件，其被集成到功率部件的單元陣列中并且包括傳感器單元，所述傳感器單元具有小于功率部件的單元陣列的面積的面積；和

在與第一方向不同的第二方向上延伸的隔離溝槽，絕緣材料被設(shè)置在所述隔離溝槽中，在傳感器部件和功率部件之間沿著第一方向設(shè)置所述隔離溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中所述功率部件包括功率晶體管，所述功率晶體管包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域、體區(qū)和柵極電極，所述柵極電極與所述體區(qū)相鄰，并且

所述傳感器單元包括傳感器晶體管，所述傳感器晶體管包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域、體區(qū)和柵極電極，所述功率晶體管的體區(qū)和源極區(qū)域通過隔離溝槽與傳感器晶體管的體區(qū)和源極區(qū)域在橫向上絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路，其中傳感器晶體管和功率晶體管的源極區(qū)域被設(shè)置成與半導(dǎo)體襯底的第一主表面相鄰，并且隔離溝槽被設(shè)置成與所述第一主表面相鄰。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路，其中功率晶體管的柵極電極和傳感器晶體管的柵極電極被設(shè)置在所述多個(gè)溝槽中的一個(gè)中并且被互相連接以形成公共柵極電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路，其中所述多個(gè)溝槽沿相同的方向互相平行地延伸并且在相鄰的溝槽之間的區(qū)域限定臺面區(qū)域，多個(gè)臺面區(qū)域沿所述多個(gè)溝槽的方向互相平行地延伸，所述功率晶體管和所述傳感器晶體管中的每個(gè)的源極區(qū)域和體區(qū)被設(shè)置在所述臺面區(qū)域中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的集成電路，其中所述隔離溝槽與所述臺面區(qū)域中的至少一個(gè)相交。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的集成電路，其中所述隔離溝槽延伸到在所述體區(qū)的下側(cè)之下的深度。

8.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路，其中兩個(gè)隔離溝槽與所述傳感器晶體管的一個(gè)源極部分相鄰。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的集成電路，其中所述傳感器晶體管的寬度被配置為通過設(shè)置相鄰的隔離溝槽之間的距離來被調(diào)整。

10.根據(jù)權(quán)利要求2的集成電路，其中功率晶體管的漏極區(qū)域和傳感器晶體管的漏極區(qū)域被連接到漏極電勢，并且功率晶體管的柵極電極和傳感器晶體管的柵極電極被連接到柵極電勢。

11.根據(jù)權(quán)利要求4的集成電路，進(jìn)一步包括被設(shè)置在隔離溝槽中并且與所述公共柵極電極連接的導(dǎo)電材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，其中所述集成電路被配置成作為功率開關(guān)來操作。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的集成電路，進(jìn)一步包括在所述隔離溝槽和所述功率部件之間設(shè)置的另外的元件，其中所述另外的元件包括p摻雜區(qū)域，并且所述p摻雜區(qū)域與所述功率部件的漏極電壓連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，進(jìn)一步包括在所述隔離溝槽和所述功率部件之間設(shè)置的另外的元件，其中所述另外的元件包括n摻雜區(qū)域，并且所述n摻雜區(qū)域與所述功率部件的源極電勢連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14的集成電路，進(jìn)一步包括在所述另外的元件和功率部件之間設(shè)置的另外的隔離溝槽。

16.一種包含晶體管陣列的半導(dǎo)體器件，包括多個(gè)第一晶體管和至少一個(gè)第二晶體管，至少一個(gè)第一和一個(gè)第二晶體管被設(shè)置成互相相鄰，第一和第二晶體管中的每個(gè)包括：

被設(shè)置成與半導(dǎo)體襯底的第一主表面相鄰的源極區(qū)域；和

在所述第一主表面中形成的溝槽中設(shè)置的柵極電極，第一晶體管的柵極電極和第二晶體管的柵極電極被連接到公共柵極電勢；

所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在第一晶體管的源極區(qū)域和第二晶體管的源極區(qū)域之間沿著第一方向設(shè)置的隔離溝槽，第一晶體管的源極區(qū)域被連接到第一源極電勢，第二晶體管的源極區(qū)域被連接到第二源極電勢，第一源極電勢與第二源極電勢是不同的。

17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中漏極區(qū)域被設(shè)置成與半導(dǎo)體襯底的第二主表面相鄰，所述第二主表面與所述第一主表面相對，第一晶體管的漏極區(qū)域和第二晶體管的漏極區(qū)域被連接到公共漏極電勢。