[發(fā)明專利]基板處理裝置及成膜方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410043876.4
• 申請(qǐng)日: 2014-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN103966575B
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山涌純;輿水地鹽;立花光博;加藤壽;小林健;三浦繁博;木村隆文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/458;C23C16/505;H01L21/31;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會(huì)華

1.一種基板處理裝置，該基板處理裝置用于在真空容器內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理，其特征在于，

該基板處理裝置包括：

旋轉(zhuǎn)臺(tái)，沿上述真空容器的周向在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的多個(gè)部位配置有用于載置基板的基板載置區(qū)域，并且該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使上述基板載置區(qū)域中的各基板載置區(qū)域進(jìn)行公轉(zhuǎn)；

等離子體產(chǎn)生用氣體供給部，其用于向等離子體產(chǎn)生區(qū)域供給等離子體產(chǎn)生用氣體，該等離子體產(chǎn)生區(qū)域用于對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理；

能量供給部，其用于向上述等離子體產(chǎn)生用氣體供給能量而使該氣體等離子體化；

偏壓電極，其以與上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域相對(duì)的方式設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下方側(cè)，用于向基板的表面吸引等離子體中的離子；

排氣口，其用于對(duì)上述真空容器內(nèi)進(jìn)行排氣，

上述偏壓電極形成為自上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)向外緣側(cè)延伸，且其在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上的寬度尺寸形成得比相鄰的基板載置區(qū)域之間的分開尺寸小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括用于向上述基板載置區(qū)域供給處理氣體的處理氣體供給部，以用來隨著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)而在基板上依次層疊分子層或原子層來形成薄膜，該處理氣體供給部位于在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上離開上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域的位置，

上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域用于進(jìn)行上述分子層或原子層的改性處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括：

電容耦合用的對(duì)置電極，其以與上述偏壓電極相對(duì)的方式配置在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上方側(cè)；

偏壓用高頻電源，其用于向上述對(duì)置電極與上述偏壓電極之間供給高頻電力，以用來使上述對(duì)置電極與上述偏壓電極電容耦合而在基板上產(chǎn)生偏壓電位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括電源部，該電源部用于通過靜電感應(yīng)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的基板產(chǎn)生用于向該基板的表面吸引等離子體中的離子的偏壓電位。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述能量供給部包括繞鉛垂軸線卷繞的天線和與該天線連接的等離子體產(chǎn)生用的高頻電源，以用來在等離子體產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)作為上述等離子體產(chǎn)生電感耦合等離子體，

對(duì)置電極為導(dǎo)電板，其設(shè)在上述天線與上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域之間，在該導(dǎo)電板上，以與上述天線的周向交叉的方式形成的狹縫沿天線的周向排列有多個(gè)，以用來阻斷由上述天線形成的電磁場(chǎng)中的電場(chǎng)而僅使磁場(chǎng)通過。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述能量供給部包括以彼此相對(duì)的方式配置的一對(duì)電極，以用來在上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)作為上述等離子體產(chǎn)生電容耦合等離子體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上設(shè)有4處以上的上述基板載置區(qū)域，

相鄰的基板載置區(qū)域之間的分開尺寸為30mm～120mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括用于使上述偏壓電極升降的升降機(jī)構(gòu)。

9.一種成膜方法，該成膜方法用于在真空容器內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行成膜處理，其特征在于，

該成膜方法包括如下工序：

使表面形成有凹部的基板分別載置于沿上述真空容器的周向設(shè)在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的多個(gè)部位的基板載置區(qū)域的工序；

使上述基板載置區(qū)域中的各基板載置區(qū)域進(jìn)行公轉(zhuǎn)的工序；

接著，向上述基板載置區(qū)域上的各基板供給處理氣體，在基板上形成分子層或原子層的薄膜的工序；

接著，向上述真空容器內(nèi)的等離子體產(chǎn)生區(qū)域供給等離子體產(chǎn)生用氣體，并使該等離子體產(chǎn)生用氣體等離子體化，利用等離子體進(jìn)行上述分子層或原子層的改性處理的工序；

吸引工序，利用以與上述等離子體產(chǎn)生區(qū)域相對(duì)的方式設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下方側(cè)的偏壓電極，向基板的表面吸引等離子體中的離子；

對(duì)上述真空容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序，

在上述吸引工序中使用的上述偏壓電極形成為自上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)向外緣側(cè)延伸，且其在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上的寬度尺寸形成得比相鄰的基板載置區(qū)域之間的分開尺寸小。