[發明專利]基板處理裝置及成膜方法

有效

• 申請號: 201410043876.4
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103966575B
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 山涌純;輿水地鹽;立花光博;加藤壽;小林健;三浦繁博;木村隆文
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/505;H01L21/31;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種基板處理裝置，該基板處理裝置用于在真空容器內對基板進行等離子體處理，其特征在于，

該基板處理裝置包括：

旋轉臺，沿上述真空容器的周向在該旋轉臺的多個部位配置有用于載置基板的基板載置區域，并且該旋轉臺用于使上述基板載置區域中的各基板載置區域進行公轉；

等離子體產生用氣體供給部，其用于向等離子體產生區域供給等離子體產生用氣體，該等離子體產生區域用于對基板進行等離子體處理；

能量供給部，其用于向上述等離子體產生用氣體供給能量而使該氣體等離子體化；

偏壓電極，其以與上述等離子體產生區域相對的方式設在上述旋轉臺的下方側，用于向基板的表面吸引等離子體中的離子；

排氣口，其用于對上述真空容器內進行排氣，

上述偏壓電極形成為自上述旋轉臺的旋轉中心側向外緣側延伸，且其在上述旋轉臺的旋轉方向上的寬度尺寸形成得比相鄰的基板載置區域之間的分開尺寸小。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括用于向上述基板載置區域供給處理氣體的處理氣體供給部，以用來隨著上述旋轉臺的旋轉而在基板上依次層疊分子層或原子層來形成薄膜，該處理氣體供給部位于在上述旋轉臺的旋轉方向上離開上述等離子體產生區域的位置，

上述等離子體產生區域用于進行上述分子層或原子層的改性處理。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括：

電容耦合用的對置電極，其以與上述偏壓電極相對的方式配置在上述旋轉臺的上方側；

偏壓用高頻電源，其用于向上述對置電極與上述偏壓電極之間供給高頻電力，以用來使上述對置電極與上述偏壓電極電容耦合而在基板上產生偏壓電位。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括電源部，該電源部用于通過靜電感應在上述旋轉臺上的基板產生用于向該基板的表面吸引等離子體中的離子的偏壓電位。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述能量供給部包括繞鉛垂軸線卷繞的天線和與該天線連接的等離子體產生用的高頻電源，以用來在等離子體產生區域內作為上述等離子體產生電感耦合等離子體，

對置電極為導電板，其設在上述天線與上述等離子體產生區域之間，在該導電板上，以與上述天線的周向交叉的方式形成的狹縫沿天線的周向排列有多個，以用來阻斷由上述天線形成的電磁場中的電場而僅使磁場通過。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述能量供給部包括以彼此相對的方式配置的一對電極，以用來在上述等離子體產生區域內作為上述等離子體產生電容耦合等離子體。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

在上述旋轉臺上設有4處以上的上述基板載置區域，

相鄰的基板載置區域之間的分開尺寸為30mm～120mm。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置包括用于使上述偏壓電極升降的升降機構。

9.一種成膜方法，該成膜方法用于在真空容器內對基板進行成膜處理，其特征在于，

該成膜方法包括如下工序：

使表面形成有凹部的基板分別載置于沿上述真空容器的周向設在旋轉臺上的多個部位的基板載置區域的工序；

使上述基板載置區域中的各基板載置區域進行公轉的工序；

接著，向上述基板載置區域上的各基板供給處理氣體，在基板上形成分子層或原子層的薄膜的工序；

接著，向上述真空容器內的等離子體產生區域供給等離子體產生用氣體，并使該等離子體產生用氣體等離子體化，利用等離子體進行上述分子層或原子層的改性處理的工序；

吸引工序，利用以與上述等離子體產生區域相對的方式設在上述旋轉臺的下方側的偏壓電極，向基板的表面吸引等離子體中的離子；

對上述真空容器內進行排氣的工序，

在上述吸引工序中使用的上述偏壓電極形成為自上述旋轉臺的旋轉中心側向外緣側延伸，且其在上述旋轉臺的旋轉方向上的寬度尺寸形成得比相鄰的基板載置區域之間的分開尺寸小。