[發明專利]一種半導體硅片雙面退火方法及裝置

有效

• 申請號: 201410043848.2
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN104810261B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 周炯;聞人青青;孟春霞
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體硅片雙面退火方法，其特征在于，當半導體硅片背面采用硼和磷摻雜形成場截止層時，具體包括以下步驟：首先完成正面的離子注入工序；然后完成背面磷摻雜；其次從半導體硅片上面和下面同時對正面和背面進行雙面退火，完成正背面摻雜離子的激活和調節背面緩沖層的深度和寬度；之后完成背面硼摻雜并再次對背面進行單面退火；最后完成硅片正面金屬連接層、金屬層和鈍化層工藝。

2.根據權利要求1所述一種半導體硅片雙面退火方法，其特征在于，所述雙面退火的溫度范圍為700-1500度，所述單面退火的溫度范圍為小于等于800度。

3.根據權利要求1所述一種半導體硅片雙面退火方法，其特征在于，用于FS IGBT或Hybrid MOS器件的制備。

4.根據權利要求3所述一種半導體硅片雙面退火方法，其特征在于，制備所述HybridMOS器件，進行所述正面的離子注入工序時，還包括通過多次外延加注入，形成硼摻雜區域在硅片垂向的延伸。

5.根據權利要求1所述一種半導體硅片雙面退火方法，其特征在于，所述雙面退火時正面退火方式和背面退火方式相同或者不同，退火方式為激光退火或者快速熱退火。