[發(fā)明專利]適應(yīng)性刷新裝置與方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410043634.5
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN104810051B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林宏學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種適應(yīng)性刷新裝置，適用于一快閃存儲器陣列，其特征在于，上述快閃存儲器陣列包括一第一陣列區(qū)域，一第一監(jiān)測行位于上述第一陣列區(qū)域的一側(cè)，上述第一陣列區(qū)域包括一選擇區(qū)塊以及多個第一非選擇區(qū)塊，其中上述選擇區(qū)塊代表執(zhí)行抹除動作的區(qū)塊，上述第一非選擇區(qū)塊代表不執(zhí)行抹除動作的區(qū)塊，上述第一監(jiān)測行具有多個第一監(jiān)測單元，其中上述第一監(jiān)測單元預(yù)先寫入一第一邏輯位準(zhǔn)，用以監(jiān)測上述第一非選擇區(qū)塊所受抹除干擾的情形，所述適應(yīng)性刷新裝置包括：

一檢測單元，檢測上述第一監(jiān)測單元之一者是否由上述第一邏輯位準(zhǔn)轉(zhuǎn)換為一第二邏輯位準(zhǔn)；

一控制單元，當(dāng)上述檢測單元發(fā)現(xiàn)上述第一監(jiān)測單元之一者為上述第二邏輯位準(zhǔn)時，設(shè)定一第一刷新標(biāo)簽；以及

一刷新單元，根據(jù)上述第一刷新標(biāo)簽，將為上述第二邏輯位準(zhǔn)的上述第一監(jiān)測單元寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)并刷新上述第一非選擇區(qū)塊，且于刷新完成后清除上述第一刷新標(biāo)簽。

2.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)性刷新裝置，其特征在于，上述快閃存儲器陣列還包括一第二陣列區(qū)域以及一第二監(jiān)測行，上述第二陣列區(qū)域包括多個第二非選擇區(qū)塊，上述第二監(jiān)測行位于上述第二陣列區(qū)域的一側(cè)，上述第二監(jiān)測行具有多個第二監(jiān)測單元，其中上述第二監(jiān)測單元預(yù)先寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)，其中：

上述檢測單元還檢測上述第二監(jiān)測單元之一者是否改變成上述第二邏輯位準(zhǔn)，當(dāng)上述檢測單元發(fā)現(xiàn)上述第二監(jiān)測單元之一者改變成上述第二邏輯位準(zhǔn)時，上述控制單元設(shè)定一第二刷新標(biāo)簽，上述刷新單元根據(jù)上述第二刷新標(biāo)簽將為上述第二邏輯位準(zhǔn)的上述第二監(jiān)測單元寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)并刷新上述第二非選擇區(qū)塊，且于刷新結(jié)束清除上述第二刷新標(biāo)簽。

3.如權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性刷新裝置，其特征在于，當(dāng)控制單元同時設(shè)定上述第一刷新標(biāo)簽及上述第二刷新標(biāo)簽時，上述刷新單元僅根據(jù)上述第一刷新標(biāo)簽以及上述第二刷新標(biāo)簽之一者動作，并于上述控制單元記錄下個周期根據(jù)上述第一刷新標(biāo)簽以及上述第二刷新標(biāo)簽的另一者動作。

4.如權(quán)利要求2所述的適應(yīng)性刷新裝置，其特征在于，當(dāng)抹除上述快閃存儲器陣列時，上述控制單元通知上述刷新單元將上述第一監(jiān)測單元以及上述第二監(jiān)測單元重新寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)。

5.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)性刷新裝置，其特征在于，上述第一邏輯位準(zhǔn)為一低邏輯位準(zhǔn)，上述第二邏輯位準(zhǔn)為一高邏輯位準(zhǔn)。

6.一種適應(yīng)性刷新方法，適用于一快閃存儲器陣列，其特征在于，上述快閃存儲器陣列包括一第一陣列區(qū)域，一第一監(jiān)測行位于上述第一陣列區(qū)域的一側(cè)且具有多個第一監(jiān)測單元，上述第一陣列區(qū)域包括一選擇區(qū)塊以及一第一非選擇區(qū)塊，其中上述選擇區(qū)塊代表執(zhí)行抹除動作的區(qū)塊，上述第一非選擇區(qū)塊代表不執(zhí)行抹除動作的區(qū)塊，其中上述第一監(jiān)測單元預(yù)先寫入一第一邏輯位準(zhǔn)，用以監(jiān)測上述第一非選擇區(qū)塊所受抹除干擾的情形，所述適應(yīng)性刷新方法包括：

檢測上述第一監(jiān)測單元之一者是否改變成一第二邏輯位準(zhǔn)；

當(dāng)上述第一監(jiān)測單元之一者改變成上述第二邏輯位準(zhǔn)時，設(shè)定一第一刷新標(biāo)簽；

根據(jù)上述第一刷新標(biāo)簽，寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)至為上述第二邏輯位準(zhǔn)的上述第一監(jiān)測單元，并刷新上述第一非選擇區(qū)塊；以及

清除上述第一刷新標(biāo)簽。

7.如權(quán)利要求6所述的適應(yīng)性刷新方法，其特征在于，上述快閃存儲器陣列還包括一第二陣列區(qū)域以及一第二監(jiān)測行，上述第二陣列區(qū)域包括多個第二非選擇區(qū)塊，上述第二監(jiān)測行位于上述第二陣列區(qū)域的一側(cè)，上述第二監(jiān)測行具有多個第二監(jiān)測單元，其中上述第二監(jiān)測單元預(yù)先寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)，該適應(yīng)性刷新方法還包括：

檢測上述第二監(jiān)測單元之一者是否改變成上述第二邏輯位準(zhǔn)；

當(dāng)上述第二監(jiān)測單元之一者改變成上述第二邏輯位準(zhǔn)時，設(shè)定一第二刷新標(biāo)簽；

根據(jù)上述第二刷新標(biāo)簽，寫入上述第一邏輯位準(zhǔn)至為上述第二邏輯位準(zhǔn)的上述第二監(jiān)測單元，并刷新上述第二非選擇區(qū)塊；以及

清除上述第二刷新標(biāo)簽。