[發明專利]一種生長GaN厚膜的自剝離方法

在審

• 申請號: 201410043314.X
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103779185A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 魏同波;吳奎;王軍喜;曾一平;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種生長自剝離半導體合金厚膜的方法，包括以下步驟：

步驟1：襯底上淀積一層半導體合金薄膜；

步驟2：在所述半導體薄膜上生長犧牲層；

步驟3：在犧牲層上，生長半導體合金厚膜；

步驟4：當所述半導體合金厚膜的厚度達到一定厚度，使得所述半導體合金厚膜從犧牲層上剝離下來，成為自支撐的半導體合金厚膜。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體合金厚膜為GaN厚膜。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體合金厚膜為III／V族、IV／VI族二元、三元及四元化合物。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層為碳納米管陣列或石墨烯陣列，該陣列為一層或多層陣列結構，層與層之間為任意排列。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1中所述半導體合金薄膜的厚度為1-100微米，生長方法為MOCVD或MBE外延技術。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2中利用化學氣相沉積法低溫制備犧牲層。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體合金厚膜的厚度在1微米到1厘米之間，生長方法可以是HVPE、液氨法、MBE或MOCVD。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為玻璃、藍寶石、Si、LiAlO₂、或III／V族、IV／VI族二元、三元及四元化合物半導體合金襯底材料。

9.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述碳納米管為單壁或多壁碳納米管。