[發明專利]一種LED封裝材料

在審

• 申請號: 201410043305.0
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103762297A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 蔣宏青;王德如;劉瑞
• 申請（專利權）人: 蕪湖市神龍新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56;H01L33/64;C22C21/12;C22C1/10
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• 代理人: 暫無信息

1.一種LED封裝材料，其特征在于：該材料為鋁銅合金和SiC顆粒組成的復合材料，SiC顆粒質量百分比為1～10%，鋁銅合金余量。

2.根據權利要求1所述的LED封裝材料，其特征在于：所述鋁銅合金中，銅所占質量百分比為0.1～20%，余量為鋁基材料。

3.根據權利要求1所述的LED封裝材料，其特征在于：所述SiC顆粒粒徑為1μm～80μm。

4.根據權利要求1至3所述的LED封裝材料，其特征在于：所述LED封裝材料，采用鋁銅合金和SiC顆粒組成的復合材料，?SiC顆粒質量百分比為1%，鋁銅合金余量；所述鋁銅合金中，銅所占質量百分比為20%，余量為鋁基材料；所述SiC顆粒粒徑為1μm。

5.根據權利要求1至3所述的LED封裝材料，其特征在于：所述LED封裝材料，采用鋁銅合金和SiC顆粒組成的復合材料，?SiC顆粒質量百分比為10%，鋁銅合金余量；所述鋁銅合金中，銅所占質量百分比為0.1%，余量為鋁基材料；所述SiC顆粒粒徑為80μm。

6.根據權利要求1至3所述的LED封裝材料，其特征在于：所述LED封裝材料，采用鋁銅合金和SiC顆粒組成的復合材料，?SiC顆粒質量百分比為5%，鋁銅合金余量；所述鋁銅合金中，銅所占質量百分比為10%，余量為鋁基材料；所述SiC顆粒粒徑為40μm。

7.根據權利要求1至6所述的LED封裝材料，其特征在于：所述LED封裝材料，采用熔滲法制備，其具體方法為：先采用SiC顆粒制備多孔基體預制件，再滲以熔點比其低的鋁銅合金材料進入基體預制件，金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液沿SiC顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，然后脫模，接著在其表面上覆蓋有一層0.13mm～0.25mm厚的鋁銅合金層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag，供封裝用。