[發明專利]檢查電路中電遷移的方法和裝置

無效

• 申請號: 201410043175.0
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103823172A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 孫永生;付一偉;郭建平
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 毛威;張亮

1.一種檢查電路中電遷移的方法，所述電路包括鰭式場效晶體管，所述鰭式場效晶體管與金屬互連線連接，其特征在于，包括：

確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度；

根據所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，確定所述金屬互連線的電流密度約束值；

根據所述金屬互連線的電流密度約束值，確定所述金屬互連線的電遷移檢查結果。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，包括：

根據下列信息中的至少一種信息，確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度：所述鰭式場效晶體管包括的鰭片的數量、柵的數量，所述鰭式場效晶體管的有源區面積、功耗、功耗密度、源漏電流和源漏電壓。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，包括：

根據下式確定所述鰭式場效晶體管的功耗：

P＝I·V

其中，P為鰭式場效晶體管的功耗，I和V分別為所述鰭式場效晶體管的源漏電流和源漏電壓；

根據所述鰭式場效晶體管的功耗和下式確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度：

ΔT＝A·f(N1,N2,P)+B，

其中，ΔT為所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，N1為所述鰭式場效晶體管包括的鰭片的數量，N2為所述鰭式場效晶體管包括的柵的數量，P為所述鰭式場效晶體管的功耗、f()為所述鰭式場效晶體管的鰭片的數量N1、柵的數量N2和所述鰭式場效晶體管的功耗P的函數，A和B為常數。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，包括：

根據下式確定所述鰭式場效晶體管的功耗密度：

ρ＝I·V/Area，

其中，ρ為所述鰭式場效晶體管的功耗密度，I和V分別為所述鰭式場效晶體管的源漏電流和源漏電壓，Area為所述鰭式場效晶體管的有源區面積；

根據所述鰭式場效晶體管的功耗密度，確定所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，確定所述金屬互連線的電流密度約束值，包括：

根據所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度，確定所述電路的溫度變化值；

根據所述電路的溫度變化值，確定所述金屬互連線的電流密度約束值。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，確定所述電路的溫度變化值，包括：

將所述電路所包括的所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度的平均溫度值確定為所述電路的所述溫度變化值。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，確定所述電路的溫度變化值，包括：

將所述電路所包括的所述鰭式場效晶體管的自發熱溫度的最高溫度值確定為所述電路的所述溫度變化值。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的方法，其特征在于，確定所述金屬互連線的電流密度約束值，包括：

根據所述電路的溫度變化值，確定所述電路的仿真溫度值；

根據所述電路的仿真溫度值，確定所述金屬互連線的電流密度約束值。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，確定所述電路的仿真溫度值，包括：

將所述電路的溫度變化值與所述電路的環境溫度之和確定為所述電路的仿真溫度值。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，確定所述金屬互連線的電遷移檢查結果，包括：

根據下式確定所述金屬互連線的電遷移檢查結果：

EM%=ρρlim,]]>

其中，EM%為所述金屬互連線的電遷移檢查結果，ρ為所述金屬互連線的電流密度仿真值，ρ_lim為所述金屬互連線的所述電流密度約束值。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當確定所述金屬互連線的EM%大于1時，確定所述金屬互連線的電遷移檢查結果為電遷移違規。