[發明專利]背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法

有效

• 申請號: 201410043107.4
• 申請日: 2014-01-29
• 公開（公告）號: CN103746044A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 張勤杰;杜飛龍;傅建奇;李秀青;華永云
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：采用高濃度堿溶液對所述硅片進行拋光處理，在所述硅片的正面和背面均形成拋光結構；

步驟S02：在所述硅片的背面形成一層掩膜；

步驟S03：采用低濃度堿溶液對所述硅片進行制絨，在所述掩膜的保護下，只在所述硅片的正面形成金字塔絨面結構；

步驟S04：對所述硅片進行擴散前清洗，去除所述掩膜，保留所述硅片背面的拋光結構；

步驟S05：在所述硅片正面形成N⁺層；

步驟S06：制備電極。

2.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜為二氧化硅膜或氮化硅膜。

3.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜的厚度不小于5nm。

4.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述掩膜的制備采用擴散爐或等離子體增強化學氣相沉積法。

5.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述高濃度堿溶液的濃度大于2%，所述低濃度堿溶液的濃度小于2%。

6.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述堿溶液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液。

7.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擴散前清洗所采用的溶液為氫氟酸溶液。

8.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述硅片正面制絨采用的是槽式制絨機。

9.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S05中在所述硅片正面形成N⁺層的方法包括：首先，對所述硅片的表面進行磷擴散，擴散方阻為60-90ohm，從而在所述硅片的正面、背面和側面邊緣均形成N⁺層；然后，采用濕法刻蝕工藝去除所述硅片背面和側面邊緣的N⁺層，保留所述硅片正面的N⁺層。

10.根據權利要求1所述的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備電極的方法包括：

步驟A1：采用等離子體增強化學氣相沉積法在所述硅片正面形成一層氮化硅薄膜；

步驟A2：采用絲網印刷工藝制備背電極、背電場和正電極；

步驟A3：采用燒結工藝，使所述背電極和所述正電極均與所述硅片形成歐姆接觸，并在所述硅片與所述背電場接觸的區域形成P⁺層。