[發(fā)明專利]開關(guān)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410042735.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104426509A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊司正嗣;金丸賢二;高橋正好 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H03K17/08 | 分類號(hào): | H03K17/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 高科 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開關(guān)電路 | ||
1.一種開關(guān)電路,其特征在于,包括:
多個(gè)開關(guān)元件,分別具有:與共用的輸入節(jié)點(diǎn)連接的第一電極、與共用的輸出節(jié)點(diǎn)連接的第二電極、和切換是否進(jìn)行在上述第一電極和上述第二電極之間流動(dòng)電流的接通動(dòng)作的控制電極;
檢測電路,檢測從上述輸出節(jié)點(diǎn)向外部的負(fù)載流動(dòng)的輸出電流;以及
控制電路,在從外部供給的控制信號(hào)為預(yù)定的邏輯值時(shí)使上述多個(gè)開關(guān)元件中的至少某一個(gè)進(jìn)行接通動(dòng)作,控制是否使上述多個(gè)開關(guān)元件中的每一個(gè)進(jìn)行接通動(dòng)作,以使得上述輸出電流越減少,進(jìn)行接通動(dòng)作的開關(guān)元件各自的上述控制電極和上述第二電極之間的寄生電容的總和就越減少。
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電路,其特征在于:
在上述控制信號(hào)不是上述預(yù)定的邏輯值時(shí)上述控制電路不使上述多個(gè)開關(guān)元件進(jìn)行接通動(dòng)作。
3.如權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電路,其特征在于:
上述控制電路控制是否使上述多個(gè)開關(guān)元件中的每一個(gè)進(jìn)行接通動(dòng)作,以使得上述輸出電流越增加,進(jìn)行接通動(dòng)作的開關(guān)元件各自的上述寄生電容的總和越增加。
4.如權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電路,其特征在于:
上述各開關(guān)元件是P型MOS晶體管;
上述第一電極是上述P型MOS晶體管的源極;
上述第二電極是上述P型MOS晶體管的漏極;
上述控制電極是上述P型MOS晶體管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的開關(guān)電路,其特征在于:
上述多個(gè)P型MOS晶體管的接通電阻互不相同,
上述多個(gè)P型MOS晶體管的上述寄生電容互不相同,
同時(shí)上述控制電路使1個(gè)上述P型MOS晶體管進(jìn)行接通動(dòng)作。
6.如權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電路,其特征在于:
上述檢測電路檢測與上述輸出電流對(duì)應(yīng)的檢測值,上述檢測值是上述輸入節(jié)點(diǎn)的輸入電壓與上述輸出節(jié)點(diǎn)的輸出電壓的電壓差;
上述控制電路控制是否使上述多個(gè)開關(guān)元件中的每一個(gè)進(jìn)行接通動(dòng)作,以使得每當(dāng)上述電壓差減少而與預(yù)先確定的第一規(guī)定值相等時(shí),進(jìn)行接通動(dòng)作的開關(guān)元件各自的上述寄生電容的總和減少,并且控制是否使上述多個(gè)開關(guān)元件中的每一個(gè)進(jìn)行接通動(dòng)作,以使得每當(dāng)上述電壓差增加而與比上述第一規(guī)定值大的預(yù)先確定的第二規(guī)定值相等時(shí),進(jìn)行接通動(dòng)作的開關(guān)元件各自的上述寄生電容的總和增加。
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