[發明專利]移位寄存器單元、移位寄存器、陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201410042535.5
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103761938A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 王穎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G11C19/28
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種移位寄存器單元，其特征在于，包括：

采樣部分、輸出部分和復位部分，

其中，所述采樣部分包括第一開關管和第二開關管，所述輸出部分包括第五開關管、第六開關管、第一電容和第二電容，所述復位部分包括第三開關管、第四開關管；

所述第一開關管的源極連接所述移位寄存器單元的輸入端，接收來自所述輸入端的輸入信號，所述第一開關管的柵極連接第一時鐘信號；所述第二開關管的柵極和源極連接第二時鐘信號，所述第二時鐘信號與所述第一時鐘信號反相；所述第三開關管的柵極和源極連接所述第一時鐘信號；所述第四開關管的柵極連接所述第二時鐘信號，所述第四開關管的源極連接電源輸入信號；所述第五開關管的源極連接所述第二時鐘信號，所述第五開關管的柵極連接所述第一開關管和所述第二開關管的漏極，所述第五開關管的漏極連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第六開關管的柵極連接所述第三開關管和所述第四開關管的漏極，所述第六開關管的源極連接所述電源輸入信號，所述第六開關管的漏極連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第一電容的一端連接所述第五開關管的柵極，另一端連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第二電容的一端連接所述第六開關管的柵極，另一端連接所述電源輸入信號。

2.根據權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一至第六開關管均為MOS管或薄膜晶體管。

3.根據權利要求2所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管或為N型薄膜晶體管。

4.根據權利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，當所述第一至第六開關管均為P型薄膜晶體管時，所述電源輸入信號為高電平；

在第一時間段內，所述輸入信號為低電平，所述第一時鐘信號為低電平，所述第二時鐘信號為高電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為高電平；

在第二時間段內，所述輸入信號為高電平，所述第一時鐘信號為高電平，所述第二時鐘信號為低電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為低電平；

在第三時間段內，所述輸入信號為高電平，所述第一時鐘信號為低電平，所述第二時鐘信號為高電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為高電平。

5.根據權利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，當所述第一至第六開關管均為N型薄膜晶體管時，所述電源輸入信號為低電平；

在第一時間段內，所述輸入信號為高電平，所述第一時鐘信號為高電平，所述第二時鐘信號為低電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為低電平；

在第二時間段內，所述輸入信號為低電平，所述第一時鐘信號為低電平，所述第二時鐘信號為高電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為高電平；

在第三時間段內，所述輸入信號為低電平，所述第一時鐘信號為高電平，所述第二時鐘信號為低電平，則所述移位寄存器單元的輸出信號為低電平。

6.一種移位寄存器單元，其特征在于，包括：

采樣部分、輸出部分和復位部分，

其中，所述采樣部分包括第一開關管和第二開關管，所述輸出部分包括第五開關管、第六開關管、第一電容和第二電容，所述復位部分包括第三開關管、第四開關管；

所述第一開關管的源極連接所述移位寄存器單元的輸入端，接收來自所述輸入端的輸入信號，所述第一開關管的柵極連接第一時鐘信號；所述第二開關管的柵極連接第三時鐘信號，所述第二開關管的源極連接電源輸入信號；所述第三開關管的柵極和源極連接所述第三時鐘信號；所述第四開關管的柵極連接第二時鐘信號，所述第四開關管的源極連接電源輸入信號；所述第五開關管的源極連接所述第二時鐘信號，所述第五開關管的柵極連接所述第一開關管和所述第二開關管的漏極，所述第五開關管的漏極連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第六開關管的柵極連接所述第三開關管和所述第四開關管的漏極，所述第六開關管的源極連接所述電源輸入信號，所述第六開關管的漏極連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第一電容的一端連接所述第五開關管的柵極，另一端連接所述移位寄存器單元的輸出端；所述第二電容的一端連接所述第六開關管的柵極，另一端連接所述電源輸入信號。

7.根據權利要求6所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一至第六開關管均為MOS管或薄膜晶體管。

8.根據權利要求7所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管或為N型薄膜晶體管。