[發明專利]深硅刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410042467.2
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103762160B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 郭子超;虢曉雙;張旭;肖定邦;張歡;侯占強;吳光躍;吳學忠
• 申請（專利權）人: 北京華力創通科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 吳開磊

1.深硅刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：

將腐蝕溶液置于水浴中加熱至預定溫度，并通過磁力攪拌器對所述腐蝕溶液進行攪拌，使所述腐蝕溶液內部溫度均勻；

將帶有掩膜的硅片豎直置于所述腐蝕溶液中腐蝕；

將腐蝕好的硅片用去離子水清洗并經氮氣吹干，得到成品硅片；

所述步驟將帶有掩膜的硅片豎直置于所述腐蝕溶液中腐蝕，具體包括如下步驟：

將一側帶有第一掩膜、另一側帶有第二掩膜的硅片豎直置于所述腐蝕溶液中腐蝕，使硅片腐蝕預定厚度，所述第一掩膜的開口位置與所述第二掩膜的開口位置不同；

取出所述豎直置于所述腐蝕溶液中的所述硅片，并記所述預定厚度為H1，記所述硅片置于所述腐蝕溶液中的時間為T；

再次將所述硅片置于所述腐蝕溶液內部，并計時；

當再次將所述硅片置于所述腐蝕溶液內部的時間達到二次腐蝕時間時，再次取出所述硅片，去掉所述第一掩膜上與所述第二掩膜開口相對應位置的掩膜，去掉所述第二掩膜上與所述第一掩膜開口相對應位置的掩膜，并記所述再次取出的所述硅片的腐蝕深度為H2，其中所述二次腐蝕時間＝(硅片總厚度-H1-H3)*T/H1，H3為硅片總厚度的15％-20％；

將所述腐蝕深度為H2的所述硅片置于所述腐蝕溶液中，并計時；

當所述計時的時間達到剩余時間時取出所述腐蝕溶液中的所述硅片，得到腐蝕好的硅片，所述剩余時間的計算方式為，剩余時間＝(硅片總厚度-H2)*T/H1。

2.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟將一側帶有第一掩膜、另一側帶有第二掩膜的硅片豎直置于所述腐蝕溶液中腐蝕，使硅片腐蝕預定厚度之后，在所述步驟取出所述豎直置于所述腐蝕溶液中的所述硅片之前還包括步驟，臨時清洗硅片，具體為：

取出所述帶有掩膜的硅片，并用高純度去離子水清洗并經氮氣吹干；

將經氮氣吹干的所述帶有掩膜的硅片再次置于所述腐蝕溶液中。

3.根據權利要求2所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟臨時清洗硅片為多次。

4.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述腐蝕溶液為質量濃度25％的四甲基氫氧化銨腐蝕溶液。

5.根據權利要求1所述的深硅刻蝕方法，其特征在于，所述步驟將腐蝕溶液置于水浴中加熱至預定溫度，并通過磁力攪拌器對所述腐蝕溶液進行攪拌，使所述腐蝕溶液內部溫度均勻中，所述預定溫度為80度-85度。