[發明專利]采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法在審
| 申請號: | 201410042112.3 | 申請日: | 2014-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN103839956A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 郭良;潘傳鵬 | 申請(專利權)人: | 蘇州蘭葉光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/78;B23K26/00 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工業園區金*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 采用 晶圓級 封裝 方式 圖像傳感器 芯片 切割 方法 | ||
1.一種采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,所述圖像傳感器芯片晶圓包括感光芯片(2)、玻璃蓋片(1)、重分布電路(3)、聚合物絕緣層(4)和焊料球(6),所述玻璃蓋片(1)具有玻璃上表面(S2)和玻璃下表面(S1),其中感光芯片(2)、重分布電路(3)、聚合物絕緣層(4)和焊料球(6)均位于所述玻璃蓋片(1)的下表面側,其特征該方法包括以下步驟:
步驟一,切割道覆蓋層去除:去除切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層(5);
步驟二,玻璃蓋片激光劃片:在所述步驟一進行之前或完成之后,運用激光對切割道(7)內的玻璃蓋片(1)作劃片處理,從而降低切割道(7)內玻璃蓋片(1)的結構強度;
步驟三,晶圓裂片分割:采用機械外力對所述圖像傳感器芯片晶圓作裂片處理,從而使圖像傳感器芯片晶圓沿切割道(7)分割開來。
2.根據權利要求1所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟一中,先將所述圖像傳感器芯片晶圓貼附于粘性膠帶上,以固定圖像傳感器芯片晶圓的位置,再利用旋轉的刀輪(9)切割去除所述切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層(5)。
3.根據權利要求1所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟一中,先將所述圖像傳感器芯片晶圓貼附于粘性膠帶上,以定位所述圖像傳感器芯片晶圓的位置,再利用激光去除所述切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層(5)。
4.根據權利要求3所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟一中,所述激光為脈沖激光,其脈沖寬度小于300ns。
5.根據權利要求2或3所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟一中,將切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層(5)全部去除;或者將切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層部分去除,而保留一定厚度的覆蓋層(5);或者將切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層全部去除后,再去除一定深度的玻璃蓋片(1)。
6.根據權利要求5所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:當將切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層部分去除,而保留一定厚度的覆蓋層(5)時,所保留的覆蓋層的厚度不大于50um。
7.根據權利要求5所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:當將切割道(7)內玻璃蓋片(1)表面的覆蓋層(5)全部去除后,再去除一定深度的玻璃蓋片(1)時,所述玻璃蓋片(1)的去除深度小于玻璃蓋片(1)厚度的一半。
8.根據權利要求2或3所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟一中,所述圖像傳感器芯片晶圓與所述粘性膠帶的貼合面為圖像傳感器芯片晶圓的玻璃蓋片面。
9.根據權利要求1所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟二中,先將所述圖像傳感器芯片晶圓貼附在粘性膠帶上,以固定圖像傳感器芯片晶圓的位置,再利用激光對玻璃蓋片(1)作劃片處理,所述激光為脈沖激光。
10.根據權利要求9所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟二中,所述圖像傳感器芯片晶圓與所述粘性膠帶的貼合面為圖像傳感器芯片晶圓的焊料球面。
11.根據權利要求10所述的采用晶圓級封裝方式的圖像傳感器芯片晶圓的切割方法,其特征在于:在所述步驟二中,所述激光經聚焦裝置透過玻璃蓋片的玻璃上表面(S1)進行會聚,其焦點位于玻璃蓋片的玻璃下表面(S2),所述激光焦點處的功率密度大于玻璃蓋片的損傷閾值,從而在玻璃蓋片(1)的玻璃下表面(S2)形成玻璃碎裂區域(12);保持預設的激光焦點高度位置,并使圖像傳感器芯片晶圓沿切割道(7)相對于激光焦點移動,每一個激光脈沖形成一個玻璃碎裂區域(12),同一焦點高度的所有碎裂區域形成一層碎裂層(13)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





