[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置與其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410042076.0
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN104051514B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 綦振瀛;李庚諺;沈煒凱;薛清全;邢泰剛
• 申請（專利權(quán)）人: 中央大學(xué);臺達電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 趙根喜,李昕巍

1.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

一基板；

一異質(zhì)結(jié)構(gòu)體，置于該基板上，該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體包含：

一第一半導(dǎo)體層，置于該基板上；

一遮罩層，置于部分的該第一半導(dǎo)體層上；

一成長層，置于該第一半導(dǎo)體層上，且毗鄰該遮罩層設(shè)置，該成長層包含一主體部與至少一傾斜部，該主體部與該傾斜部皆具有一上表面，其中該遮罩層具有面向該第一半導(dǎo)體層的一下表面，該主體部的該上表面與該遮罩層的該下表面非共平面，且該傾斜部的該上表面自該主體部的該上表面，沿著一夾角傾斜至該遮罩層的該下表面；以及

一第二半導(dǎo)體層，置于該遮罩層與該成長層上；

一保護層，置于該第二半導(dǎo)體層上，且至少置于該遮罩層與該成長層的該傾斜部的上方；

一源極與一漏極，分別與該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體電性耦合；以及

一柵極，置于該保護層上，置于該源極與該漏極之間，并至少置于該成長層的該傾斜部上方。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該成長層的數(shù)量為多個，該遮罩層置于二該些成長層之間，該第二半導(dǎo)體層具有至少二貫穿孔，該二貫穿孔分別暴露出該二成長層的至少一部分，且該源極與該漏極分別置于被該二貫穿孔暴露的該二成長層的該二部分上。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該遮罩層具有一寬度，且該寬度小于2微米。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體還包含：

一第三半導(dǎo)體層，置于該遮罩層與該第一半導(dǎo)體層之間；以及

其中該第一半導(dǎo)體層具有二凹槽，且部分的該二成長層分別置于該二凹槽中。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體還包含：

一第三半導(dǎo)體層，置于該遮罩層與該第一半導(dǎo)體層之間；以及

其中該第一半導(dǎo)體層具有至少一凹槽，該成長層的一部分置于該凹槽中。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第二半導(dǎo)體層具有至少一貫穿孔，該貫穿孔暴露至少部分的該成長層，該第三半導(dǎo)體層具有至少一貫穿孔，且該遮罩層具有至少一貫穿孔，該第三半導(dǎo)體層的該貫穿孔與該遮罩層的該貫穿孔共同暴露出至少部分的該第一半導(dǎo)體層，該源極與該漏極其中一者置于被該第三半導(dǎo)體層暴露的該部分的該第一半導(dǎo)體層上，且該源極與該漏極其中另一者置于被該第二半導(dǎo)體層暴露的該部分的該成長層上。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第二半導(dǎo)體層的材質(zhì)與該第三半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包含：

一緩沖層，置于該基板與該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體之間。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該遮罩層的材質(zhì)為氧化物、氮化物或上述的任意組合。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該傾斜部的該上表面與該遮罩層的該下表面之間的該夾角為約60度。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該成長層的材質(zhì)與該第一半導(dǎo)體層的材質(zhì)相同。

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含：

提供一基板；

形成一異質(zhì)結(jié)構(gòu)體于該基板上，其中形成該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體包含：

形成一第一半導(dǎo)體層于該基板上；

形成一遮罩層于部分的該第一半導(dǎo)體層上；

形成至少一成長層，該成長層毗鄰該遮罩層，其中該成長層包含一主體部與至少一傾斜部；以及

形成一第二半導(dǎo)體層于該成長層與該遮罩層上；

形成一保護層于該第二半導(dǎo)體層上，且至少置于該遮罩層與該成長層的該傾斜部上方；

形成一源極與一漏極，以分別與該異質(zhì)結(jié)構(gòu)體電性耦合；以及

形成一柵極于該保護層上，置于該源極與該漏極之間，且至少置于該成長層的該傾斜部的上方。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中形成該成長層的步驟包含：

形成二該成長層于該遮罩層的相對兩側(cè)；

其中該制造方法還包含：

形成二貫穿孔于該第二半導(dǎo)體層中，使得該二貫穿孔暴露出至少部分的該二成長層；以及

其中形成該源極與該漏極的步驟包含：

分別形成該源極與該漏極于被該二貫穿孔暴露的該二成長層的該二部分上。