[發明專利]芯片封裝方法及封裝結構

有效

• 申請號: 201410041992.2
• 申請日: 2014-01-28
• 公開（公告）號: CN103779245A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王之奇;楊瑩;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：襯底和位于襯底表面的客戶層，所述客戶層的表面為基底的第一表面，與所述第一表面相對的襯底的表面為第二表面，所述客戶層內形成有若干焊墊；

刻蝕所述基底的第二表面，形成第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出若干焊墊及部分客戶層的表面；

在所述第一凹槽內壁表面及基底的第二表面上形成絕緣層；

形成第二凹槽，所述第二凹槽沿焊墊的排列方向，依次貫穿相鄰焊墊以及相鄰焊墊之間的客戶層；

在所述第一凹槽、第二凹槽以及絕緣層表面形成布線金屬層；

在所述布線金屬層表面形成阻焊層，所述阻焊層內具有開口，所述開口暴露出部分布線金屬層的表面；

在所述開口內形成位于布線金屬層表面的焊球。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第二凹槽為直線形，所述第二凹槽的寬度小于焊墊的寬度。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述客戶層內的部分第二凹槽與第一凹槽側壁之間具有第一距離，所述焊墊內的第二凹槽與第一凹槽側壁之間具有第二距離，所述第一距離大于第二距離，第一距離與第二距離之間的差值范圍為10微米～100微米。

4.根據權利要求1、2或3所述的芯片封裝方法，其特征在于，采用激光劃線工藝形成所述第二凹槽。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在第二凹槽的寬度方向上，所述第二凹槽的寬度大于相鄰焊墊之間的距離，所述第二凹槽去除了相鄰的部分焊墊以及所述相鄰焊墊之間的客戶層。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝方法，其特征在于，采用切割工藝或激光劃線工藝形成所述第二凹槽。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，還包括：在形成所述布線金屬層之后，在相鄰焊墊之間的客戶層內形成第三凹槽，所述第三凹槽將第二凹槽及第二凹槽內的金屬布線層斷開。

8.根據權利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，采用激光劃線工藝形成第三凹槽。

9.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，還包括：提供基板，將所述基底的第一表面與基板壓合后，再形成所述第一凹槽。

10.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括高分子有機絕緣聚合物或無機絕緣介電材料。

11.根據權利要求10所述的芯片封裝方法，其特征在于，采用噴涂工藝、旋涂工藝或化學氣相沉積工藝形成所述絕緣層。

12.一種封裝結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括：襯底和位于襯底表面的客戶層，所述客戶層的表面為基底的第一表面，與所述第一表面相對的襯底的表面為第二表面，所述客戶層內形成有若干焊墊；

位于所述基底的第二表面內的第一凹槽，所述第一凹槽底部暴露出若干焊墊及部分客戶層的表面；

位于所述第一凹槽內壁表面及基底的第二表面的絕緣層；

沿焊墊的排列方向，依次貫穿相鄰焊墊以及相鄰焊墊之間的客戶層的第二凹槽；

位于所述第一凹槽、第二凹槽以及絕緣層表面的布線金屬層；

位于所述布線金屬層表面的阻焊層，所述阻焊層內具有開口，所述開口暴露出部分布線金屬層的表面；

位于所述開口內的布線金屬層表面的焊球。

13.根據權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，所述第二凹槽為直線形，所述第二凹槽的寬度小于焊墊的寬度。

14.根據權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，所述客戶層內的部分第二凹槽與第一凹槽側壁之間具有第一距離，所述焊墊內的第二凹槽與第一凹槽側壁之間具有第二距離，所述第一距離大于第二距離，第一距離與第二距離之間的差值范圍為10微米～100微米。

15.根據權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，在第二凹槽的寬度方向上，所述第二凹槽的寬度大于相鄰焊墊之間的距離，所述第二凹槽去除了相鄰的部分焊墊以及所述相鄰焊墊之間的客戶層。

16.根據權利要求12所述的封裝結構，其特征在于，還包括：位于相鄰焊墊之間的客戶層內的第三凹槽，所述第三凹槽將第二凹槽及第二凹槽內的金屬布線層斷開。