[發明專利]一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410040298.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN103777418A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 崔賢植;金熙哲;林允植
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤指一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術

液晶顯示技術迅速發展，并成為目前工業界的新星和經濟發展的亮點。在液晶顯示蓬勃發展的同時，寬視角、高畫質和較快的響應速度等成為液晶顯示面板的迫切要求。目前，高級超維場轉換（ADvanced?Super?Dimension?Switch，ADSDS，簡稱ADS）型液晶顯示技術因具有寬視角、高畫質與較快的響應速度等特性，成為近幾年研究的熱點。

隨著液晶顯示面板的分辨率以及開口率的越來越高，導致ADS型陣列基板的像素間距（pixel?pitch）越來越小，進而導致ADS型陣列基板的存儲電容也越來越小，從而使ADS型陣列基板對液晶的驅動能力變弱。同時存儲電容越小還會導致像素電壓的保持率越低，進而會導致閃爍（Flicker）等不良現象的產生，極大地降低了ADS型陣列基板的品質。

現有的ADS型陣列基板如圖1所示，包括：襯底基板1、薄膜晶體管2、以及依次位于薄膜晶體管2上方的樹脂層3、像素電極4、絕緣層5和公共電極6；其中，薄膜晶體管2包括：依次設置于襯底基板1上的柵電極21、柵極絕緣層22、有源層23、以及同層設置的源電極24和漏電極25，像素電極4通過貫穿樹脂層3的過孔與漏電極25電性連接。

目前，現有技術中增加ADS型陣列基板的存儲電容的最簡單的方法是減小像素電極和公共電極之間的距離，這種方法雖然能夠增大ADS型陣列基板的存儲電容，但是，公共電極與像素電極之間的距離減小，會導致像素電極與公共電極發生短路的幾率增加。

因此，如何在不影響陣列基板開口率的同時提高陣列基板的存儲電容，已成為業界亟需解決的問題。

發明內容

本發明實施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以解決現有技術中存在的陣列基板的存儲電容較小，導致顯示裝置的顯示品質較低的問題。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管包括柵電極、有源層、源電極和漏電極，還包括：

位于所述薄膜晶體管上方的公共電極，以及與所述薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極；其中，

所述第一像素電極位于所述公共電極的下方且與所述公共電極相互絕緣，所述第二像素電極位于所述公共電極的上方且與所述公共電極相互絕緣。

本發明實施例提供的上述陣列基板，由于包括位于薄膜晶體管上方的公共電極，以及分別位于公共電極上方和下方的，且均與薄膜晶體管的漏電極電性連接的第一像素電極和第二像素電極，因此可以同時在第一像素電極與公共電極之間，以及在第二像素電極和公共電極之間形成存儲電容；而現有技術中由于陣列基板中只有一個像素電極和一個公共電極，因此現有技術中只能在一個像素電極和公共電極之間形成存儲電容。因此，本發明實施例提供的上述陣列基板與現有的陣列基板相比，可以增大陣列基板的存儲電容，從而提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現象，進而提高顯示裝置的顯示品質。

較佳地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第二像素電極通過所述第一像素電極與所述漏電極電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第二像素電極直接與所述漏電極電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：

位于所述第二像素電極與所述公共電極之間的第一絕緣層；

位于所述公共電極與所述薄膜晶體管之間的第二絕緣層；

所述第二像素電極至少通過貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔與所述漏電極電性連接。

較佳地，為了簡化制備工藝，節約制作成本，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極直接設置在所述漏電極的上層或下層，所述第一像素電極直接與所述漏電極電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極通過過孔與所述漏電極電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述薄膜晶體管為底柵型或頂柵型的薄膜晶體管。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一像素電極為平板狀，所述第二像素電極為狹縫狀。

本發明實施例提供的一種液晶顯示面板，包括本發明實施例提供的上述任一種陣列基板。