[發(fā)明專利]X波段單片功率放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410040266.9
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN103812458A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張忠祥;陳明生;魯世斌;范程華;張量;水泉;沈濱翼;靳振龍;許瑩瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥師范學(xué)院;安徽易科技術(shù)有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F1/42
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司 34101
• 代理人: 何梅生;郭華俊

1.X波段單片功率放大器，其特征是，包括單芯片（1），所述單芯片（1）上集成有輸入匹配電路（2）、功率分配電路（10）、三級PHEMT管放大器（3）、功率合成電路（11）和輸出匹配電路（4）；所述輸入匹配電路（2）的輸入端與單芯片（1）的外部信號輸入端RF-IN相連接，用于接入外部信號輸入源；所述輸入匹配電路（2）的輸出端與所述功率分配電路（10）的輸入端相連接，所述功率分配電路（10）的輸出端與三級PHEMT管放大器（3）的輸入端相連接；所述三級PHEMT管放大器（3）的輸出端與所述功率合成電路（11）的輸入端相連接；所述所述功率合成電路（11）的輸出端與所述輸出匹配電路（4）的輸入端相連接；所述輸出匹配電路（4）的輸出端與單片芯片（1）的外部輸出端RF-OUT相連接，用于輸出放大后的信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述三級PHEMT管功率放大器包括第一級PHEMT管放大器（3-1）、第二級PHEMT管放大器（3-2）、第三級PHEMT管放大器（3-3）、第一中間級功率分配合成及匹配電路（7）和第二中間級功率分配合成及匹配電路（9）；所述第一級PHEMT管放大器（3-1）的輸入端與所述功率分配電路的輸出端相連接，所述第一級PHEMT管放大器（3-1）的輸出端與所述第一中間級功率分配合成及匹配電路（7）的輸入端相連接；所述第一中間級功率分配合成及匹配電路（7）的輸出端與所述第二級PHEMT管放大器（3-2）的輸入端相連接，所述第二級PHEMT管放大器（3-2）的輸出端與第二中間級功率分配合成及匹配電路（9）的輸入端相連接；所述第二中間級功率分配合成及匹配電路（9）的輸出端與第三級PHEMT管放大器（3-3）的輸入端相連接，所述第三級PHEMT管放大器（3-3）的輸出端與所述功率合成電路（11）的輸入端相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述第一級放大器（3-1）包括兩個相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5）和兩個三級濾波電路（6）；所述第二級PHEMT管放大器（3-2）包括八個相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5）和兩個三級濾波電路（6）；所述第三級PHEMT管放大器（3-3）包括十六個相互并聯(lián)連接的PHEMT管（5）和兩個三級濾波電路（6）；所述PHEMT管的柵極和漏極通過三級濾波電路與直流供電端連接；PHEMT管（5）為采用0.25um柵寬的贗電高電子遷移率晶體管PHEMT制作而成；

所述第一級PHEMT管放大器（3-1）、第二級PHEMT管放大器（3-2）和第三級PHEMT管放大器（3-3）的相互并聯(lián)的PHEMT管（5）的柵極之間連接有電阻，漏極之間也連接有電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述電阻為用于降低和阻止奇模振蕩的奇模電阻（8）。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的X波段單片功率放大器，其特征是，所述三級濾波器（6）為三級RC濾波電路。