[發(fā)明專利]一種干熄焦?fàn)t用碳化硅磚及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410040255.0 | 申請日: | 2014-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN103864440A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董良軍;程平平;李亞偉;桑紹柏 | 申請(專利權(quán))人: | 宜興市丁山耐火器材有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/66 | 分類號: | C04B35/66 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 214221 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 焦?fàn)t 碳化 硅磚 及其 制備 方法 | ||
1.一種干熄焦?fàn)t用碳化硅磚,其特征在于包括以下成分:SiC顆粒占60~75%、SiC細(xì)粉占15~25%、SiC微粉占3~9%、單質(zhì)Si粉占1~8%,糊精占1~2%,外加1~3%的硅溶膠和1~2%的聚乙烯醇溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干熄焦?fàn)t用碳化硅磚,其特征在于所述SiC顆粒為大結(jié)晶SiC,SiC含量大于98.5%,按照50~70%的1~3mm和30~50%的0~1mm的粒徑分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干熄焦?fàn)t用碳化硅磚,其特征在于所述SiC微粉粒徑<10μm,單質(zhì)Si粉粒徑<0.045mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干熄焦?fàn)t用碳化硅磚,其特征在于所述硅溶膠中包括15~20%的SiO2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干熄焦?fàn)t用碳化硅磚,其特征在于所述聚乙烯醇溶液的濃度為5~8%。
6.一種制備權(quán)利要求1所述的產(chǎn)品的方法,其特征在于包括以下步驟:
1)先將SiC細(xì)粉、SiC微粉、單質(zhì)Si粉和糊精混合4~10分鐘得到預(yù)混合粉;
2)再將SiC顆粒置于混碾機(jī)中混合3~5分鐘,之后加入硅溶膠和聚乙烯醇溶液并混練5~7分鐘,最后加入預(yù)混合粉并混練25~30分鐘,出料;
3)困料24小時,再在混碾機(jī)內(nèi)混練10~30分鐘,在100~180MPa壓力下壓制成素坯;
4)在干燥窯內(nèi)于100~200℃干燥24h后,在空氣氣氛下燒制,燒制溫度1450~1550℃并保溫3~5小時,得到成品。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備干熄焦?fàn)t用碳化硅磚的方法,其特征在于所述步驟4)中燒制過程的升溫制度為:室溫~800℃,5℃/min;800℃保溫2~6小時;800~1200℃,3℃/min;1200~1550℃,2℃/min。
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