[發明專利]電感耦合等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201410039246.X
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN103985624A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 山澤陽平;佐佐木和男;古屋敦城;齊藤均
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種對基板實施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括：

收納基板的處理室；

用于在所述處理室內的配置基板的區域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和

金屬窗，其配置在生成所述電感耦合等離子體的等離子體生成區域和所述高頻天線之間，與基板對應地設置，

所述金屬窗由狹縫分割為多個區域，所述狹縫至少其一部分形成為寬度隨位置而不同，由此，能夠調整由供給至所述高頻天線的電流形成在所述處理室的感應電場的分布。

2.如權利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述金屬窗包括寬度相對較寬的區域和寬度相對較窄的區域，所述狹縫中與所述寬度相對較窄的區域對應的部分的寬度比與所述寬度相對較寬的區域對應的部分的寬度大。

3.如權利要求1或2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述金屬窗包括與所述金屬窗的長邊對應的長邊側區域和與所述金屬窗的短邊對應的短邊側區域，所述狹縫包括與所述短邊側區域對應的第一狹縫和與所述長邊側區域對應的第二狹縫，所述第一狹縫的寬度比所述第二狹縫的寬度大。

4.如權利要求3所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一狹縫形成得與所述短邊平行，所述第二狹縫形成得與所述長邊平行。

5.如權利要求3或4所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述狹縫包括與呈矩形形狀的所述金屬窗的外形同心狀的矩形狹縫，所述第一狹縫為所述矩形狹縫的短邊，所述第二狹縫為所述矩形狹縫的長邊。

6.如權利要求5所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述狹縫呈同心狀地包括多個所述矩形狹縫，所述矩形狹縫中至少最外側的矩形狹縫包括所述第一狹縫和所述第二狹縫。

7.如權利要求5或6所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述狹縫包括與所述矩形狹縫交叉的方向的交叉狹縫。

8.如權利要求7所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述交叉狹縫為所述矩形狹縫的對角線狀。

9.如權利要求3～8中任一項所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一狹縫和所述第二狹縫中的至少一方形成為與高頻天線的天線線材平行。

10.如權利要求9所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述高頻天線設置成在與所述金屬窗對應的面內、所述天線線材在所述金屬窗的周方向上回轉走線。

11.一種對基板實施電感耦合等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置，該電感耦合等離子體處理裝置的特征在于，包括：

收納基板的處理室；

用于在所述處理室內的配置基板的區域生成電感耦合等離子體的高頻天線；和

金屬窗，其配置在生成所述電感耦合等離子體的等離子體生成區域和所述高頻天線之間，與基板對應地設置，

所述金屬窗由狹縫分割為多個區域，所述狹縫的至少一部分的寬度可變，使得能夠調整由供給至所述高頻天線的電流形成在所述處理室的感應電場的分布。

12.如權利要求11所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述金屬窗包括寬度相對較寬的區域和寬度相對較窄的區域，所述狹縫的至少一部分的寬度可變，使得所述狹縫中與所述寬度相對較窄的區域對應的部分的寬度比與所述寬度相對較寬的區域對應的部分的寬度大。

13.如權利要求11或12所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述狹縫中寬度可變的部分具有對所述狹縫的寬度進行調整的蓋。

14.如權利要求13所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：

所述蓋與由所述狹縫中寬度可變的部分分割而成的所述金屬窗的一方區域導通，與另一方區域絕緣。