[發明專利]量子點敏化太陽電池金屬硫化物對電極的制備方法

有效

• 申請號: 201410038809.3
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN103811186B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 孟慶波;徐靖;李冬梅;羅艷紅
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20;H01G9/04
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391
• 代理人: 范曉斌;薛峰

1.一種量子點敏化太陽電池的金屬硫化物對電極的制備方法，包括：

將導電基底浸漬在第一鈦前驅體溶液中進行預處理：

采用液相沉積方法在預處理過的導電基底上沉積金屬硫化物薄膜；

將所述金屬硫化物薄膜浸漬在第二鈦前驅體溶液中進行后處理。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述金屬硫化物為硫化銅、硫化鈷、硫化鎳或硫化鉛。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，

所述第一鈦前驅體溶液和/或所述第二鈦前驅體溶液為TiCl₄水溶液、鈦酸四丁酯醇溶液或鈦酸四異丙酯醇溶液，且濃度為10-100mM。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于，

在所述預處理中，所述第一鈦前驅體溶液的溫度為60-80℃，所述導電基底在所述第一鈦前驅體溶液中的浸漬時間為20-40min；和/或

在所述后處理中，所述第二鈦前驅體溶液的溫度為60-80℃，所述金屬硫化物薄膜在所述第二鈦前驅體溶液中的浸漬時間為20-40min。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述液相沉積方法包括將所述導電基底置于含有金屬源和硫源的沉積溶液中進行沉積反應，其中

所述金屬源的濃度為0.01-0.2M，所述硫源的濃度為0.04-0.6M，并且所述硫源的濃度是所述金屬源的濃度的至少三倍。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，

所述金屬源為CuSO₄、Cu(NO₃)₂、Cu(CH₃COO)₂、CuCl₂、CoSO₄、Co(NO₃)₂、Co(CH₃COO)₂、CoCl₂、Pb(NO₃)₂、Pb(CH₃COO)₂、PbCl₂、NiSO₄、Ni(NO₃)₂、Ni(CH₃COO)₂或NiCl₂；和/或

所述硫源為Na₂S₂O₃、硫脲和硫代乙酰胺中的一種或多種。

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，

所述沉積溶液的pH值為3-5。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述液相沉積方法中的沉積反應的反應溫度為60-80℃，反應時間為2-4h。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的制備方法，其特征在于，

所述導電基底為導電玻璃、金屬鈦片或導電塑料薄膜。

10.一種量子點敏化太陽電池，具有根據權利要求1-9中任一項所述的方法制成的金屬硫化物對電極。