[發(fā)明專利]一種鐵電存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410038707.1 | 申請日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN103762311A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 常琦 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇巨邦環(huán)境工程集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 劉洪勛 |
| 地址: | 226600 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 存儲器 | ||
1.一種鐵電存儲器的鐵電薄膜電容,包括:
基底層1,上電極層2、上電極緩沖層3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6、粘結(jié)層7和阻擋層8。
其中多取代基的硅雜環(huán)己二烯摻雜到鉛鋯鈦薄膜層中,形成鐵電薄膜層4,多種取代基的硅雜環(huán)己二烯:
式(1)中,R1、R2相同或不同,代表烷基或芳基;R3代表氫、醛基、酮基、酯基、磷酸基;R4代表烷基、芳基;R5代表氫、烷基、烯基、芳基;R6代表烷基、芳基。上述的烷基優(yōu)選C1-C6的直鏈或支鏈烷基,如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等。
2.如權(quán)利要求1所述的鐵電薄膜電容,其特征在于,上述芳基優(yōu)選苯基和取代苯基,所述取代苯例如甲苯基、對甲氧苯基等。上述酮基優(yōu)選-COR,其中R代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述酯基優(yōu)選-COOR′,其中R′代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述烯基優(yōu)選C2-C8的鏈烯基,例如:乙烯基、丙稀基、丁烯基、戊烯基等。
本發(fā)明的優(yōu)選多取代硅雜環(huán)己二烯選自下列化合物Ia~I(xiàn)f:
Ia:R1=R2=Me,R3=COOMe,R4=Ph,R5=H,R6=Ph;
Ib:R1=R2=Ph,R3=COOMe,R4=Ph,R5=H,R6=Ph;
Ic:R1=R2=Me,R3=COPh,R4=Ph,R5=H,R6=Ph;
Id:R1=R2=Me,R3=COOMe,R4=Ph,R5=(1-丙基)-1-戊烯基,R6=Ph;
Ie:R1=R2=Me,R3=COOMe,R4=Bu,R5=Et,R6=Bu;
If:R1=R2=Ph,R3=COOMe,R4=Bu,R5=Et,R6=Bu。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





