[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201410037838.8
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN104425016B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 金珪圣
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/30
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種半導體存儲裝置，包括：

驅動電流控制塊，被配置為感測虛設存儲器元件的電阻值，以及產生寫入驅動器控制信號；以及

寫入驅動塊，被配置為響應于所述虛設存儲器元件的電阻值的感測，而將驅動電壓提供至存儲器單元陣列，

其中，所述虛設存儲器元件直接耦接到所述驅動電流控制塊。

2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述虛設存儲器元件是所述存儲器單元陣列中包括的存儲器元件。

3.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述虛設存儲器元件是通過將所述存儲器單元陣列中包括的存儲器元件模型化而形成的存儲器元件。

4.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述驅動電流控制塊產生與所述虛設存儲器元件的電阻值相對應的感測電壓、比較參考電壓與所述感測電壓、以及產生所述寫入驅動器控制信號。

5.如權利要求4所述的半導體存儲裝置，其中，所述驅動電流控制塊包括：

感測電壓發生單元，被配置為將電壓施加至所述虛設存儲器元件，以及產生與所述虛設存儲器元件的電阻值相對應的感測電壓；

鎖存器型比較單元，被配置為比較所述感測電壓與所述參考電壓，以及產生比較信號；以及

驅動器，被配置為驅動所述比較信號，以及輸出所述寫入驅動器控制信號。

6.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，所述感測電壓發生單元包括：

電流發生部，被配置為將電壓施加至所述虛設存儲器元件，以及產生與供應給所述虛設存儲器元件的電流相同的電流；以及

電壓轉換部，被配置為產生具有與所述電流發生部產生的電流量相對應的電壓電平的感測電壓。

7.如權利要求6所述的半導體存儲裝置，

其中，所述電壓轉換部與所述電流發生部電耦接，并且所述電流發生部產生的電流施加至所述電壓轉換部與所述電流發生部電耦接的節點，

其中，所述電壓轉換部將與偏置電壓的電平相對應的電流量從所述節點流至接地端子，以及

其中，所述節點的電壓是所述感測電壓。

8.如權利要求5所述的半導體存儲裝置，其中，所述鎖存器型比較單元包括：

比較部，被配置為根據所述感測電壓和所述參考電壓的電壓電平來確定第一節點和第二節點的電壓電平；以及

鎖存部，被配置為根據所述第一節點和所述第二節點的電壓電平來產生所述比較信號，并且鎖存所述比較信號。

9.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述比較部比較所述感測電壓與所述參考電壓的電壓電平，并且使得所述第一節點和所述第二節點中的一個節點的電壓電平低于另一個節點的電壓電平。

10.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述鎖存部根據所述第一節點與所述第二節點之間的具有較低電壓電平的節點的電壓電平來將所述比較信號使能或禁止。

11.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述寫入驅動塊包括：

主驅動器，被配置為：當寫入驅動器使能信號被使能時，產生所述驅動電壓；以及副驅動器，被配置為：當所述寫入驅動器使能信號和所述寫入驅動器控制信號兩者都被使能時，產生所述驅動電壓。

12.一種半導體存儲裝置，包括：

驅動電流控制塊，被配置為根據多個虛設存儲器元件的電阻值來產生多個寫入驅動器控制信號；

主驅動器，被配置為響應于寫入驅動器使能信號而將驅動電壓提供至存儲器單元陣列；以及

多個副驅動器，被配置為：響應于所述虛設存儲器元件的電阻值的感測，而將所述驅動電壓提供至所述存儲器單元陣列，

其中，所述虛設存儲器元件直接耦接到所述驅動電流控制塊。