[發明專利]一種功率集成器件在審
| 申請號： | 201410037695.0 | 申請日： | 2014-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN104810350A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發明（設計）人： | 鄭玉寧;陳建國;張楓 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 集成 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種功率集成器件，包括襯底，以及形成在所述襯底上的半導體層圖案和金屬層圖案，在所述半導體層圖案和金屬層圖案之間形成有介質層，其特征在于，所述介質層包括抗可動離子絕緣層。
2.根據權利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述抗可動離子絕緣層的材料選擇氮化硅。
3.根據權利要求2所述的功率集成器件，其特征在于，所述抗可動離子絕緣層的厚度為1000-3000埃。
4.根據權利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述介質層還包括形成在所述半導體層圖案和抗可動離子絕緣層之間的緩沖層，用于改善抗可動離子絕緣層與半導體層之間的應力。
5.根據權利要求4所述的功率集成器件，其特征在于，所述緩沖層的材料選擇二氧化硅。
6.根據權利要求5所述的功率集成器件，其特征在于，所述緩沖層的厚度為500-3500埃。
7.根據權利要求1所述的功率集成器件，其特征在于，所述金屬層圖案位于所述半導體層圖案的上方；
所述介質層還包括形成在所述抗可動離子絕緣層和金屬層之間的過渡層，用于提高金屬層的均勻性。
8.根據權利要求7所述的功率集成器件，其特征在于，所述過渡層的材料選擇硼磷硅玻璃。
9.根據權利要求8所述的功率集成器件，其特征在于，所述過渡層的厚度為4000-15000埃。
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