[發(fā)明專利]一種晶圓表面平坦化工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410037579.9
• 申請(qǐng)日: 2014-01-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104810277B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 由云鵬;潘光燃;王焜;石金成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/312
• 分類號(hào): H01L21/312;H01L21/311
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

1.一種晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，包括以下步驟：

在有臺(tái)階的晶圓表面形成第一正硅酸乙酯層；

在所述第一正硅酸乙酯層上形成旋涂玻璃層，所述旋涂玻璃層在非臺(tái)階處的厚度大于在臺(tái)階處的厚度；所述旋涂玻璃層的厚度為

對(duì)形成旋涂玻璃層后的晶圓依次進(jìn)行烘烤和離子注入；

在離子注入后的所述旋涂玻璃層上形成第二正硅酸乙酯層；

在所述第二正硅酸乙酯層上形成光刻膠層；所述光刻膠層的厚度為

對(duì)所述光刻膠層和所述第二正硅酸乙酯層進(jìn)行回刻；

去除回刻殘留的光刻膠，并對(duì)晶圓進(jìn)行清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯層和所述第二正硅酸乙酯層均采用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述第一正硅酸乙酯層的厚度為所述第二正硅酸乙酯層的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述烘烤的溫度為200-400℃，烘烤的時(shí)間為30-90min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述對(duì)形成旋涂玻璃層后的晶圓依次進(jìn)行離子注入，具體為：采用氬氣或砷對(duì)形成旋涂玻璃層后的晶圓進(jìn)行離子注入。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述離子注入的能量為70-200KEV。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，對(duì)所述光刻膠層和所述第二正硅酸乙酯層進(jìn)行回刻，其具體為：

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行完全刻蝕，并對(duì)所述第二正硅酸乙酯層進(jìn)行部分刻蝕，其刻蝕后剩余的所述第二正硅酸乙酯層厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化工藝，其特征在于，所述去除回刻殘留的光刻膠，具體為：采用等離子體法去除回刻殘留的光刻膠。