[發(fā)明專利]一種高純銅中碳硫元素分析方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410037569.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103728199A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃桂華;任發(fā)強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N5/00 | 分類號(hào): | G01N5/00 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 賈慧琴 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高純 銅中碳硫 元素 分析 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于雜質(zhì)分析測(cè)試領(lǐng)域,涉及高純銅非金屬雜質(zhì)痕量分析方法,具體涉及一種高純銅中碳硫元素分析方法。?
背景技術(shù)
所謂高純銅是指銅含量不低于99.9999%,主控金屬雜質(zhì)和非金屬雜質(zhì)的總量不大于0.0001%的銅材料,簡(jiǎn)稱6N銅。由于6N銅的某些性能與金相似,具有良好的導(dǎo)電性、延展性、抗腐蝕能力和表面性能。主要用于集成電路制造、平板顯示領(lǐng)域、IC制備鍍銅的種子層的濺射靶材的原料和集成電路封測(cè)領(lǐng)域銅線鍵合的原材料。?
高純6N銅中非金屬雜質(zhì)C、S的殘留量是重要的控制指標(biāo)。雖然國標(biāo)中沒有明確規(guī)定C的含量,但是集成電路行業(yè)對(duì)此有苛刻的要求。有些廠家明確規(guī)定碳硫的含量小于1μg/g,對(duì)于非金屬元素碳、硫的檢測(cè),一般采用輝光放電質(zhì)譜法(GD-MS)檢測(cè),檢測(cè)成本高,周期長,難以滿足日益發(fā)展的半導(dǎo)體需求,并且對(duì)于檢測(cè)環(huán)境要求比較高,空氣中的二氧化碳、硫的氧化物對(duì)碳硫的檢測(cè)存在一定的影響,導(dǎo)致測(cè)定結(jié)果不準(zhǔn)確,難于滿足小于1μg/g的要求;而傳統(tǒng)上碳硫分析儀通常用來分析黑色金屬如不銹鋼鋼、鑄鐵中的碳硫元素,所測(cè)定的碳硫含量相對(duì)高些,一般在百分之0.01%-10%,在取樣過程中僅處理掉樣品的氧化層,不做后續(xù)處理,對(duì)于低含量的碳硫分析,尤其是高純銅中微量的碳硫分析(含量小于1μg/g),如果在分析過程中不做相應(yīng)的處理,分析結(jié)果偏高。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明采用碳硫分析儀分析高純銅中微量的碳硫,尤其是在樣品前處理及后續(xù)處理做了改進(jìn),準(zhǔn)確的測(cè)定高純銅微量碳硫的含量,能達(dá)到與GD-MS同樣的效果。?
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種高純銅中碳硫元素分析方法,該方法包含:?
????步驟1,對(duì)高純銅樣品進(jìn)行前處理;
步驟2,上機(jī)測(cè)試:記錄所稱取的高純銅樣品質(zhì)量m和所用助溶劑的質(zhì)量m1,包含樣品與助溶劑的總質(zhì)量為m0,m0=?m1+m,使用碳硫分析儀分別測(cè)定包含樣品與助溶劑的總碳含量C碳0、總硫含量C硫0及助溶劑的碳含量C碳1、硫含量C硫1;
步驟3,樣品中的碳含量C碳按公式(1)計(jì)算:
其中,樣品中的硫含量C硫按公式(2)計(jì)算:
從而完成碳硫元素分析。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的步驟1的前處理包含:?
????步驟1.1,將樣品加工成絲狀。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的步驟1的前處理還包含:?
????步驟1.2,采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%高純氫氧化鈉的超純水溶液浸泡處理10分鐘,以除去樣品表面的油污。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的步驟1的前處理還包含:?
????步驟1.3,將去除油污后的樣品采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%-20%(優(yōu)選15%)的高純硝酸的超純水溶液浸泡處理5-20min(優(yōu)選5min),以去除樣品表面的氧化層;再以超純水清洗干凈。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的步驟1的前處理還包含:?
????步驟1.4,將步驟1.3洗干凈的樣品在高純氮?dú)猓?N)保護(hù)條件下吹干,避免了銅樣品再次被氧化和污染。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的助溶劑選擇純錫粒、純鎢粒或純鐵粒中的任意一種,其中碳硫含量均低于1μg/g。?
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的步驟2包含:?
????步驟2.1,先將助溶劑置于坩堝中測(cè)定其碳含量C碳1和硫含量C硫1;?
步驟2.2,將助溶劑與純銅樣品在的坩堝中混合,測(cè)定總碳含量C碳0、總硫含量C硫0。
上述的高純銅中碳硫元素分析方法,其中,所述的坩堝采用經(jīng)碳硫元素分析儀灼燒過的坩堝,以扣除坩堝帶來的碳硫雜質(zhì)。?
本發(fā)明通過對(duì)于高純銅樣品預(yù)處理工藝優(yōu)化,采用經(jīng)分析過程使用過的坩堝(其中的碳硫已經(jīng)燃燒除盡),以及使用極低碳硫含量的助溶劑,通過碳硫分析儀能分析測(cè)算高純銅中低于1μg/g的碳硫含量。?
本發(fā)明優(yōu)選使用低碳硫背景的純錫粒作為助溶劑,碳硫含量均低于1μg/g,再用其測(cè)量樣品。?
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